@Article{, title={Impedance Matching Network Design for Class C Power Amplifier}, author={Amenah I. Kanaan امينة ادريس كنعان}, journal={Journal of Engineering and Sustainable Development (JEASD) مجلة الهندسة والتنمية المستدامة}, volume={15}, number={2}, pages={45-62}, year={2011}, abstract={Power amplifiers (PA) are typically the most power-consuming building blocks of RF transceivers. Therefore, the design of a high-efficiency radio frequency power amplifier is the most obvious solution to overcoming the battery lifetime limitation in the portable communication systems. In order to obtain the maximum output power, the reference impedance (usually 50 Ohm) must be transformed to the optimum input and output impedance of the selected transistor. Matching networks are therefore necessary at the input and at the output of a power amplifier circuit. In this research we designed a class C power amplifier operates in frequency range (200MHz -500MHz) with input power 0.63watt and output power 10watt. At high radio frequencies, the spurious elements (like wire inductances, interlayer capacitances, and conductor resistances) have a significant yet unpredictable impact on the matching network. In our design the matching network for input and output is implementing for frequency range (300MHz-350MHz) because of the wide band frequency range for transistor used. Two ways to implement the matching network: Theoretical calculations method (smith chart) and simulations using computer programs method are often presented.

مكبرات القدرة تمثل قوالب البناء النموذجية الأكثر استهلاكا للقدرة في المستقبل المرسل الراديوي. لذلك فان تصميم مكبر قدرة ذو كفاءة عالية يعمل ضمن الترددات العالية يمثل الحل الأكثر وضوحا للتغلب على تقييد عمل البطارية في أنظمة الاتصال النقالة، لذلك فان ممانعة المصدر (عادة ماتكون 50 اوم) يجب إن تحول إلى ممانعة الإدخال والإخراج المثالية للترانزستور المختار. لذلك فان شبكات الموائمة تكون ضرورية في دوائر الإدخال والإخراج لمكبر القدرة. في هذا البحث قمنا بقدرة إدخال (0.63واط) وقدرة اخراج (10واط) . (200MHz -500MHz) يعمل ضمن المدىC بتصميم مكبر قدرة في الترددات الراديوية العالية ، العناصر غير الحقيقية مثل محاثة السلك الكهربائية ومتسعات الطبقات الداخلية ومقاومة الموصل لها تأثيرات لايمكن التنبؤ بها لحد الآن على شبكات الموائمة. في هذا التصميم تم تنفيذ شبكات الموائمة للإدخال بسبب عرض حزمة الترددات للترانزستور المستخدم. (300MHz -350MHz) والإخراج لترددات تتراوح من قدمت في هذا البحث طريقتان لتنفيذ شبكات الموائمة: الطريقة التخطيطية(مخطط سمث) وطريقة المحاكاة باستخدام برامج الحاسوب. الكلمات الدالة: تصميم مكبر، الترددات العالية، مكبرات المايكروويف، مكبر قدرة نوعC ، مخطط سمث، انعكاس موجة الفولتية الواقفة.} }