@Article{, title={Temperature Dependence of AC Conductivity and Complex Dielectric Constant of Cd2Si1-xGexO4 Compound اعتماد التوصيلية المتناوبة وثابت العزل المركب على درجة الحرارة لمركب Cd2Si1-xGexO4}, author={Salma M. Shaban سلمى مهدي شعبان}, journal={Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم}, volume={56}, number={2B}, pages={1409-1415}, year={2015}, abstract={In this work, samples of Cd2Si1-xGexO4 prepared by powder technology for (x = 0, 0.3, 0.6) were studied. The effect of (Ge) additives at different ratio of Ge (x=0, 0.3, 0.6) on the behavior of dielectric constant, dielectric loss and a,c conductivity were measured as a function of temperature at a selected frequencies (0.01 – 10) MHz in the temperature range 298 K to 473 K. The dielectric constant and dielectric loss obtained different behavior with the additives of (Ge). The activation energy for the electrical conduction process was studied.

في هذا العمل , درست نماذج Cd2Si1-xGexO4 المحضرة بتكنولوجيا المساحيق للنسب (x = 0, 0.3, 0.6) . درس تاثير اضافة Ge لنسب مختلفة من Ge (x = 0, 0.3, 0.6). على ثابت العزل , فقد العازل والتوصيلية المتناوبة كدالة لدرجة الحرارة ولترددات مختارة (0.01 – 10) MHz في مدى درحات الحرارة 298 كلفن الى 473 كلفن. اكتسب ثابت العزل وفقد العازل سلوك مختلف باضافة Ge . تم دراسة طاقة التنشيط لعملية التوصيل الكهربائي.} }