TY - JOUR ID - TI - Preparation and Characterization Study of ZnS Thin Films with Different Substrate Temperatures تحضير وتشخيص دراسة اختلاف درجات حرارة قاعدة الاساس على اغشية كبريتيد الزنك الرقيقة AU - Kadhim Abid Hubeatir PY - 2016 VL - 34 IS - 1 Part (A) Engineering SP - 178 EP - 185 JO - Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا SN - 16816900 24120758 AB - Zinc sulfide (ZnS) thin films were deposited on a glass and n-type Silicon wafer substrates attemperature range from 50 - 200 Co using pulsed laser deposition (PLD) technique. Thestructural, morphological, optical and electrical properties of the films have been investigated.The XRD analyses indicate that ZnS films have zinc blende structures with plane (111)preferential orientation, whereas the diffraction patterns sharpen with the increase in substratetemperatures. The Atomic Force Microscopy (AFM) Images shows the particle size and surfaceroughness of the deposited ZnS thin film at substrate temperature 50 and 150 Co were about62.90nm, 74.68nm respectively. Also we noticed that the surface roughness is increased atsubstrate temperature 150 Co compared with temperature 50 Co. At 200 Co the formed filmsexhibit a good optical property with 80% transmittance in the visible region. The electricalproperties confirmed that they depend strongly on the bias voltage and the amount of currentproduced by a photovoltaic device which is directly related to the number of photons absorbed.C-V results demonstrated that the fabricated heterojunction is of abrupt type.

الرقيقة على قواعد من الزجاج وشرائح سليكونية من نوع ZnS تم ترسيب أغشية مادة كبريتيد الخارصينالتغير في درجات الحرارة كان ضمن المدى .(PLD) بإستخدام تقنية الترسيب بالليزر النبضي n-type200- م 0) الخواص التركيبية وتركيب السطح والبصرية وكذلك الكھربائية تم دراستھا والتحقق منھا مع تغير 50)تبين ان ھذه الاغشية تمتلك تراكيب من خليط الزنك ذات توجه عالي عند (XRD) درجات الحرارة. من تحليلات(AFM)ِ المستوى ( 111 ) وذات انماط حيود حادة تزداد مع زيادة درجة الحرارة. اما صور تركيب السطحكانت o و 150 م o عند درجة حرارة 50 م (PLD) المرسبة بطريقة ZnS الموضحة فقد بينت ان حجم الجسيم لأغشيةالأغشية المرسبة عند .o 62.9 نانومترو 74.6 نانومتر على التوالي. وخشونة السطح كانت اكبر منه عند درجة 50 مكانت ذات خصائص بصرية جيدة مع نفاذية عالية نسبيا 80 % ضمن المنطقة المرئية. لوحظ ان الخواص o 200 مالكھربائية للأغشية المتكونة تعتمد بشدة على فولتية الانحياز وكمية التيار الناتج الذي يرتبط مباشرة بعدد الفوتوناتاثبتت ان الاغشية من النوع الحاد. (C-V) الممتصة. نتائج ER -