TY - JOUR ID - TI - Study the effect resistivity slide and the time of etching on silicon surfaces morphology of producing photovoltaic method "دراسة تأثير مقاومية الشريحة وزمن التنميش على مورفولوجية سطوح السليكون المنتجة بالطريقة الكيميائية الضوئية " AU - PY - 2016 VL - 21 IS - 7 SP - 152 EP - 161 JO - Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة SN - 18131662 24151726 AB - Our work focusing on studying the effect of the etching time and Resistivity on morphology of the Surfaces which is producted by the photochemical etching method from the wafer silicon n-type which is used ,where is found by increasing the etching time from 70min to 100 min the high of the nano structural is increasing from 4.17nm to 11.3 nm of same n-type silicon wafer, while we studying the Resistivity effect on morphology the results was declare increasing in the product nano structures( i.e the depth etching increase) from 4.11nm to 10 nm under same etching time 70 min of the difference of the wafer resistance and the etching time, and how that's be effecting on the Surface Topographic for the used silicon wafers, Where as much as with increasing the etching time for same wafer the etching depth increasing . This is up to difference in resistance ,Every time the resistance less that's the aching depth longer, The reason of that , the freedom that’s carriers (holes) have it and accessibility to the surface with shape great than from the wafers have high resistance. So the resistance which responsible of different among aching depth. Either increase in depth for same wafer by increase the aching time, that’s up to the extraction mechanism which the fluore atoms do it, every time increase the aching time the F atoms floundered at the surface extractioning the si atoms from the surface and freeing H gas and the prodected nano silicon and ruling in its producting conditions considering the first steep of ruling in the devices properties (sensors, Diods, sensors. photocells) and its applications. At the end all of this is important in forware the searching operations and the developing of renewable.

تشتمل هذه الدراسة تأثير زمن التنميش و المقاومية (and Etching Time (Resistivity على مورفولوجية السطوح المنتجة باستخدام طريقة التنميش الكيميائي الضوئي من شرائح السليكون n-type المستخدمة ، حيث وجد ان زيادة زمن التنميش من min70 الى min100 ادى الى ازدياد الطبقة المسامية من 4.17 nm الى nm3 .11 لنفس الشرائح من السليكون ، اما دراسة تأثير المقاومية على المورفولوجية فقد بينت النتائج زيادة في ارتفاع التراكيب النانوية المنتجة (أي ازداد عمق الحفر) من nm 4.11 الى nm10وتحت نفس زمن التنميشmin 70. وهذا يعود للاختلاف في المقاومية ، اوضحت النتائج التجريبية انه كلما كانت المقاومية اقل كان عمق التنميش اكبر، السبب يعود في ذلك هو الحرية التي تكتسبها الحاملات (الفجوات) وامكانية وصولها للسطح بشكل اكبر من الشرائح ذات المقاومية العالية ، وهي المسؤولة عن اختلاف عمق التنميش (الطبقة المسامية). اما الزيادة في العمق لنفس الشريحة عند زيادة زمن التنميش , فهذا يعود لميكانيكية الاقتلاع التي تقوم بها ذرات الفلور F فكلما زاد زمن التنميش كلما غاصت ذرات الفلور مقتلعة ذرات السليكون من السطح ومحررة غاز الهيدروجين . ان انتاج تراكيب السليكون النانوي والتحكم في ظروف انتاجها تعتبر الخطوة الاولى للتحكم في خواص النبائط (كواشف ، مفارق (Diods)، خلايا شمسية ، متحسسات ) وتطبيقاتها المناسبة وفي النهاية كل هذا مهم في تعزيز عمليات البحث والتطوير للطاقة المتجددة.. ومن الامور المهمة التي تعتبر مفاتيح للبحث هي : الطاقة المتجددة (Renewable Energy) ، التنميش aching) The) ، الخشونة (roughness) ، السليكون المساميporous silicon ) ، الإكسيتون(exciton) ، التنميش الكيميائي الضوئي (Photochemical etching) ، الحصر الكمي ( (quantum confinement، Nano technology . ER -