TY - JOUR ID - TI - Morphology and Electrical Properties Study of Nanocrystalline Silicon Surface Prepared By Electrochemical Etching دراسة الخصائص الطبوغرافية والكهربائية لسطح السيلكون ذو التركيب النانوي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي AU - Jamal Fadhil Mohammad جمال فاضل محمد PY - 2016 VL - 57 IS - 3A SP - 1707 EP - 1714 JO - Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم SN - 00672904 23121637 AB - In this work, nanostructure porous silicon surface was prepared using electrochemical etching method under different current densities. I have studied the surface morphology and photoluminescence (PL) of three samples prepared at current densities 20, 30 and 40 mA/cm2 at fixed etching time 10 min. The atomic force microscopy (AFM) images of porous silicon showed that the nanocrystalline silicon pillars and voids over the entire surface has irregular and randomly distributed. Photoluminescence study showed that the emission peaks centered at approximately (600 – 612nm) corresponding energies (2.06 – 2.02eV).While current-voltage characteristics shows, as the current density increase the current flow in the forward bias is decreasing, while the rectification ratio and ideality factor varied from one sample to another. Finally, as etching current density increases the built in potential (Vbi) decreases (Vbi= 0.95, 0.75 and 0.55 volt corresponding 20, 30 and 40 mA/cm2) respectively.

تم في هذا البحث تحضير سطح السيلكون ذو التراكيب النانوية بطريقة التنميش الكهروكيميائي ولكثافة تيار مختلفة. وكذلك تم دراسة طبوغرافية سطح السيلكون والاضائية (اللمعان) للعينات المحضرة بكثافة تيار 20، 30 ، 40 ملي امبير/ سم2وعند زمن تنميش ثابت مقداره 10 ثانية.أوضحت صور مجهر القوة الذرية بان سطح السليكون ذو تراكيب نانوية بهيئة اعمدة وفجوات موزعة بصورة عشوائية غير منتظمة على سطح السيلكون. دراسة الاضائية أوضحت بان قمم الانبعاث متمركزة تقريبا بين مدى الاطوال الموجية(600-612 نانومتر) والتي تقابل الطاقات (2.02-2.06 الكترون فولط). بينما اوضحت دراسة خصائص تيار-جهد، عند زيادة كثافة التيار يتناقص التيار الامامي مع تغير لكل من نسبة التقويم و عامل المثالية من عينة الى اخرى. واخيرا، عند زيادة كثافة تيار (20، 30 ، 40 ملي امبير/ سم2 ) فان جهد البناء الداخلي يتناقص (0.55, 0.75, 0.95 فولط) على الترتيب. ER -