@Article{, title={Preparation Thin Filmsfrom SnS by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) MethodandStudying Optical and Structural تحضيراغشية رقيقة لكبريتيد القصدير بطريقة الغطس المتعاقب للطبقات الايونية ودراسة الخواص البصرية والتركيبة لها}, author={Afrah.AbdulHussain.Jabor افراح عبد الحسين جبر}, journal={Journal of College of Education مجلة كلية التربية}, volume={}, number={5}, pages={295-302}, year={2015}, abstract={SnS thin films have been deposited by Successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) methodat room temperature. The structural, of the film are determined by using X-ray diffraction (XRD)Measurement and optical propertiesMeasurement by using UV-Vsi spectrophotometer.The preparation of tin sulfide thin films of 0.3µm thickness were grown on glass substrates by SILAR method using SnSO4 and Na2S at different concentrations0.3M and 0.6 M. Polycrystalline structure of films are shown by XRD.

الخلاصةرسبت اغشية رقيق لكيريتيد القصدير بطريقة الغطس الايوني المتعاقب عند درجة حرارة الغرفة ثم درست الخواص التركيبية والبصرية للأغشية من خلال حساب حيود الاشعة السينية والبصرية باستخدام مطياف الاشعة الفوق البنفسجية والمرئية.تم انماء الاغشية على قواعد زجاجية وبسمك0,3مايكرومتر بطريقة الغطس المتعاقب للطبقات ا لايونية باستخدام كبريتات القصدير وكبريتيد الصوديوم وبتراكيزمختلفة (0.3 ,0,6) مولاري.ظهر التركيب متعدد التبلور للاغشية من خلال فحوصات حيود الاشعة السينية} }