@Article{, title={The Effect of Al Doping on Structural, Electrical and Optical Properties of CdSe Films تأثير تطعيم Al على الخواص التركيبية، الكهربائية والبصرية لأغشية CdSe}, author={Suha A. Najim سهى عبد الله نجم and Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل}, journal={Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين}, volume={27}, number={3E}, pages={164-172}, year={2018}, abstract={CdSe thin films were deposited on glass substrates by chemical bath deposition technique. The deposited CdSe thin films were annealed by thermal evaporation for (1h) at 250 ˚C. The samples were then coated with a different thicknesses of thin Al films (50, 100, 150, 200) Å by thermal evaporation method which then annealed at (1h,250˚C). The structural, optical, and electrical properties of deposited and doped samples were studied. The X-ray diffraction analysis showed that the films have polycrystalline structure of hexagonal type. From optical properties, the band gap energy of undoped CdSe thin film was 2 eV and it is decreased by increasing of Al doping. Electrical resistivity of the doped films showed a decrease with the increase of the Al concentration. The doped and undoped samples revealed that the conductivity was n-type

تم ترسيب أغشية CdSe الرقيقة على أرضية من الزجاج باستخدام تقنية الترسيب بالحمام الكيميائي Chemical Bath Deposition CBD)). أغشية CdSe الرقيقة المرسبة تم تلدينها بالتبخير الحراري لمدة ساعة عند 250 ˚C. العينات تم تطعيمها بغشاء من الألمنيوم الرقيق وبأسماك مختلفة Å(50, 100, 150, 200) بطريقة التبخير الحراري وبعدها تم تلدينها عند (1h, 250˚C). تم دراسة الخواص التركيبية، البصرية والكهربائية للنماذج المرسبة والمطعمة. من تحليل حيود الأشعة السينية تبين بان الأغشية تمتلك تركيبا متعدد البلورات من النوع السداسي (Hexagonal). ومن الخواص البصرية، وجد أن فجوة الطاقة لأغشية CdSe غير المطعمة 2 eV وإنها تقل مع زيادة التطعيم بالألمنيوم. المقاومية الكهربائية للأغشية المطعمة تبين أنها تقل مع زيادة تركيز Al. النماذج المطعمة وغير المطعمة أظهرت توصيلية من النوع السالب (n-type).} }