TY - JOUR ID - TI - Effect of Sn Doping on Structural Properties of ZnO Thin Films Prepared by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition Method تأثير التشويب بالقصدير (Sn) على الخصائص التركيبية لأغشية (ZnO) الرقيقة المحضرة بطريقة الترسيب البخاري الكيميائي عند الضغط الجوي الأعتيادي AU - Sabah A. Salman صباح انور سلمان AU - Salah Q. Hazaa صلاح قدوري هزاع AU - Sura. J. Abass سرى جمال عباس PY - 2017 VL - 13 IS - 4 - part 2 SP - 59 EP - 72 JO - Academic Science Journal مجلة العلوم الاكاديمية SN - 83732222 25189255 AB - Undoped and Sn-doped Zinc Oxide (ZnO) thin films with doping percentage (1,3,5)% with thickness (400±20)nm which deposited on glass substrates at temperature (400°C) have been prepared by atmospheric pressure chemical vapor deposition method, The effect change of doping percentage on the structural properties for all prepared films were studied. XRD investigations results showed that all prepared films were polycrystalline in nature and had a hexagonal structure with preferred orientation along (002) plane, and we found that the increase in doping percentage lead to increase the crystallite size as well improve the crystal structure for all prepared films expect the film which prepared with doping percentage (3%) where the crystallite size decreases at this doping percentage and then the crystallite size increasing when the doping percentage increases, The lattice constants, dislocation density and number of crystals per unit area, microstrain, were calculated for all prepared films, also the results of atomic force microscope (AFM) showed that the values of root mean square and the surface roughness for all prepared films increases with the increase in doping percentage expect the film which prepared with doping percentage (3%) where the root mean square and the surface roughness decreases at this doping percentage and then the root mean square and the surface roughness increasing when the doping percentage increases. The (SEM) images show that the different surface morphologies for all the prepared films and the increasing in doping percentage leads to increase the crystallite sizes, we having a ratio of elements by (EDX) technique.

حُضرت أغشية أوكسيد الخارصين (ZnO) الرقيقة غير المشوبة والمشوبة بالقصدير (Sn) بنسب تشويب %(1,3,5) ذات السمك 400±20)nm) والمرسبة على قواعد زجاجية بدرجة حرارة (400°C) بطريقة الترسيب البخاري الكيميائي عند الضغط الجوي الأعتيادي، وقد تمت دراسة تأثير تغير نسب التشويب على الخصائص التركيبية للأغشية المحضرة كافة.أظهرت نتائج فحوصات الأشعة السينية (XRD) بأنَ جميع الأغشية المحضرة ذات تركيب متعدد التبلور ومن النوع السداسي (Hexagonal)، والأتجاه السائد للنمو هو (002)، وقد وجد ان زيادة نسبة التشويب ادت الى زيادة في الحجم البلوري والذي يدل على تحسن التركيب البلوري للأغشية المحضرة كافة بأستثناء الغشاء المحضر بنسبة تشويب (3%) اذ يقل الحجم البلوري عند نسبة التشويب هذه ومن ثم يزداد الحجم البلوري بزيادة نسبة التشويب، وايضآ تم حساب ثوابت الشبيكة وكثافة الأنخلاعات وعدد البلوريات لوحدة المساحة للأغشية المحضرة كافة فضلآ عن ذلك فقد أوضحت نتائج مجهر القوة الذرية (AFM) زيادة في قيم الجذر التربيعي لمربع متوسط الخشونة وخشونة السطح للأغشية المحضرة كافة بزيادة نسبة التشويب بأستثناء الغشاء المحضر بنسبة تشويب (3%) حيث يقل الجذر التربيعي لمربع متوسط الخشونة وخشونة السطح عند نسبة التشويب هذه ومن ثم تزداد قيم الجذر التربيعي لمربع متوسط الخشونة وخشونة السطح بزيادة نسبة التشويب. ومن خلال صور المجهر الألكتروني الماسح (SEM) وجد هناك اختلاف في طبيعة السطوح وانه كلما زادت نسبة التشويب يزداد الحجم البلوري، وحصلنا على نسب العناصر المكونة للأغشية من خلال تقنية (EDX). ER -