@Article{, title={Mathematical Model to Investigate the Temperature Distribution for Photovoltaic Panels}, author={Rafel Hekmat Hameed}, journal={Journal of University of Babylon مجلة جامعة بابل}, volume={26}, number={8}, pages={13-22}, year={2018}, abstract={A Mathematical model that has been developed for direct simulation the spatial and temporal temperature profile within the photovoltaic(PV) panel by resolving the unsteady state heat equation in three dimensions, utilizing the method of explicit finite differenceto minimize the errors of solution. This model includes the materials composition of PV panel, by affecting their optical and thermal properties when irradiated directly to sunlight. The different temperature across the top and back of panel cell is found a 24.091 oC. The PV adequacy of solar cell is inversely proportional to its temperature of operating at the rear surface of PV cell. This powering temperature is disciple onto desegregates conditions of atmospheric, impacts of panel materials behavior and mounting structure. The coefficient of a free convection heat loss at the rear surface of thecell is as well specified. This analysis indicates the convection heat loss coefficient effect on operating temperature of PV panel, and its efficiency.

تم تطوير انموذج رياضي لمحاكاة درجة الحرارة المكانية والزمانية داخل لوح الخلية الكهروضوئية ، وذلك بالحل العدديلمعادلة الحرارة غير المستقرة وبثلاثة أبعاد ، باسخدام طريقة الفروقات المحددة لتقليل الاخطاء الناتجة من الحل. يتضمن هذا النموذج تاثير المواد المكونة للوح الكهروضوئيمن خلال خواصها البصرية والحرارية عند تعرضهاالمباشرإلى ضوء الشمس . الفرق في درجة حرارة عبر السطح العلوي والخلفي للوح الخلية الضوئية كان 24.091 درجة مئوية.تتناسب كفاءة الخلايا الشمسية الكهروضوئية عكسًيا مع درجة حرارة التشغيل في السطح الخلفي للوحة الكهروضوئية. . تعتمد درجة حرارة التشغيل على الظروف المتغيرة للغلاف الجوي ، وتأثيرات سلوك مواد الألواح وهيكل التركيب. تم تحديد معامل فقدان حراري للحمل الحر على السطح الخلفي للوحة الكهروضوئية. يشير هذا التحليل إلى تأثير معامل فقدان الحرارة بالحمل الحرعلى درجة حرارة التشغيل للوحة الكهروضوئية وكفاءتها.} }