TY - JOUR ID - TI - The Effect of Etching Time on Structural Properties of Porous Quaternary AlInGaN Thin Films تأثير وقت الحفر على الخصائص التركيبية للأغشية الرقيقة الرباعية المسامية للالمنيوم- انديوم- غاليوم-نترات AU - Ghasaq Ali Tomaa غسق علي طعمة AU - Alaa Jabbar Ghazai علاء جبار غزاي PY - 2021 VL - 19 IS - 50 SP - 77 EP - 83 JO - Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء SN - 20704003 26645548 AB - Using photo electrochemical etching technique, porous silicon (PS) layer was prepared on n-type silicon wafers to generate porous silicon for n-type with an orientation of (111). X-ray diffraction pattern revealed differences between peaks where the high of the peaks and intensity decreased with increasing etching time. The largest crystal size was (30 nm) and the lowest crystal size was (28.6 nm). The atomic force microscopy and field emission scanning electron microscopy were used to study the morphology of porous silicon layer. As the etching time was increased, AFM measurements showed that (RMS), roughness and grain size decreased. FESEM showed a homogeneous pattern and verified the formation of uniform porous silicon.

استخدام طريقة النقش الكهروكيمائي لانتاج طبقات السيليكون المسامي من سليكون نوع n-type والتي تكون باتجاه (111). اظهر فحص حيود الاشعة السينية فرق بالشدة وطول القمم حيث انها تقل شدتها وطول القمة بازدياد وقت الحفر للسيليكون المسامي. ان الحجم الحبيبي وجد اكبر قيمة له هي 30 نانومتر واقل قيمة هي 28.6 نانومتر. تحليل نتائج مجهرالقوة الذرية ومجهر القوة الالكترونية بين ان الخشونة تقل ايضا بازدياد وقت الحفر. ولوحظ ان النمط متجانس للسيليكون المسامي. ER -