TY - JOUR ID - TI - Resistive Switching in the Cu/Si/SiO2/CdS/CuO/Cu Structure Fabricated at Room Temperature Haneafa Yahya Najm التبديل المقاومي في تركيب Cu / Si / SiO2 / CdS / CuO / Cu مصنعة في درجة حرارة الغرفة AU - Haneafa Yahya Najm حنيفة يحيى نجم PY - 2022 VL - 27 IS - 1 SP - 77 EP - 83 JO - Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة SN - 18131662 24151726 AB - This work investigates CuO and CdS (material as nanoparticles mixed with a polymer (Cellulose Acetate)) – based ReRAM having stable resistive switching. It also investigates a new composition of a memory which is constructed with silicon as a pedestal, silicon oxide SiO2 thermally grown on it and active materials that include of (CuO material as nanoparticles mixed with a polymer (Cellulose Acetate) layer) sandwiched between two electrodes using similar material and CdS layer as a semiconductor n-type. ReRAM memory cell is a structure such as a capacitor that is consist of semiconducting transition metal oxides or insulating exhibiting inverses resistive switching on applying voltage pulses .The mixed material was coated as a thin layer by using Spin-Coating Instrument. this structure can be switched between low- resistance state (LRS) and high resistance state(HRS);therefore, The present structure behaves as unipolar resistive switching. The resistive behavior will be affected by the top electrode area. This effect occurs more in big top electrode area (TEL=15.896mm2) where, the constituting voltage (Vforming) is inversely proportionately with respect to the top electrode area (A) .Also the (HRS) is inversely proportioned with the (A). The complying current (Icc=20mA) is used for protect the device from the damageable. The fabricated composition has many prosperities, such as Vforming = 7.3volt, Vset = 4volt, VReset = 1.7volt, Finally, the resistance ratio (Rratio) is proportioned directly with the(A) and equal Rratio=157.48 so, this ratio is enough to distinguish amongst the low resistance and the high resistance in a circuit design.

في هذه الدراسة، تم تحقيق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومي (ReRAM) بالاعتماد على طبقتين فعالتينCdS و CuO كجسيمات نانوية ممزوجة مع مادة خلات السليلوز البوليمرية والتي تملك تبديلاً مقاومياً مستقراً ، تم ايضاً تحقيق تركيبة جديدة لذاكرة مصنوعة من السليكون كقاعدة اساسية (Substrate) حيث تم انماء طبقة من اوكسيد السليكون (SiO2) حرارياً عليها وكذلك استخدمت المادتين النانويتن الفعالتين من (CdS) و (CuO) الممزوجتين مع البوليمر كطبقتين بحيث تقع هذه الطبقتين بين قطبين معدنيين من النوع نفسه كنوع من اشباه الموصلات نوع n-type، ان تركيب ذاكرة (ReRAM) يشبه تركيب المتسعة والتي تتكون من شبه موصل من اكاسيد معدنية انتقالية او عازل والتي تبدي تبديلاً مقاومياً قابلاً للتغير عند تسليط الفولتية عليها . تم طلاء الطبقة الرقيقة من المادة الممزوجة باستخدام جهاز تقنية الطلاء بالدوران السريع (Spin-Coating Instrument). هذه التركيبة من الممكن ان تتبدل في حالة المقاومة الواطئة (LRS) وحالة المقاومة العالية (HRS) ولهذا السبب تسلك سلوك تبديل مقاومي احادي القطبية (Unipolar). هذا السلوك للمقاومة سوف يتاثر بمساحة القطب العلوي. حيث يحدث اكثر في حالة القطب العلوي الكبير (TEL=15.896 mm2)، حيث يكون فولتية التشكيل (Vforming) تتناسب عكسياً مع مساحة القطب العلوي (A). وكذلك (HRS) تتناسب عكسياً مع (A) اما استخدم التيار المحدد (Icc) والذي يساوي (Icc=20 mA) لحماية التركيبة من التلف. تمتلك التركيبة المصنوعة على العديد من الخصائص مثل: (7.3 volt= Vforming) ، (Vset= 4 volt) و (VReset = 1.7 volt ), واخيراً نجد ان المقاومة النسبية (Rratio) تتناسب طردياً مع ( (Aوتساوي Rratio=157.48)) وتعد هذه النسبة كافية للتمييز بين المقاومة الواطئة والمقاومة العالية. ER -