TY - JOUR ID - TI - Investigation of heat transfer phenomena and flow behavior around electronic chip بحث ظاهرة انتقال الحرارة وتصرف الجريان حول جزء إلكتروني AU - Sattar j. Habeeb ستار جابر حبيب PY - 2007 VL - 3 IS - 2 SP - 17 EP - 31 JO - Al-Khwarizmi Engineering Journal مجلة الخوارزمي الهندسية SN - 18181171 23120789 AB - Computational study of three-dimensional laminar and turbulent flows around electronic chip (heat source) located on a printed circuit board are presented. Computational field involves the solution of elliptic partial differential equations for conservation of mass, momentum, energy, turbulent energy, and its dissipation rate in finite volume form. The k-ε turbulent model was used with the wall function concept near the walls to treat of turbulence effects. The SIMPLE algorithm was selected in this work. The chip is cooled by an external flow of air. The goals of this investigation are to investigate the heat transfer phenomena of electronic chip located in enclosure and how we arrive to optimum level for cooling of this chip. These parameters, which will help enhance thermal performance of electronic chip and flow patterns, through the understanding of different factors on flow patterns. The results show the relation between the temperature rise, heat transfer parameters (Nu, Ra) with (Ar, Q) for two cases of laminar and turbulent flows.

تمّ عرض دراسة نظرية لجريانات طباقية واضطرابية ثلاثية الأبعاد حول مصدر تسخين (جزء إلكتروني) موضوع فوق صفيحة إلكترونية PCB ، تضمنت الدراسة حل المعادلات التفاضلية الجزئية الأهليليجية المتمثلة بحفظ الكتلة، الزخم، الطاقة ، الطاقة المضطربة ومعدل ضياعها باستخدام الحجوم المحددة ( Finite Volumes ). لقد حلت هذه المعادلات باستخدام نموذج k-ε بالإضافة إلى استخدام مفهوم دالة الجدار بالقرب من الجدران لمعالجة تأثيرات الاضطراب. كما تمّ الاعتماد على الخوارزمية (SIMPLE algorithm) في بناء هيكلية البرنامج . الجزء إلكتروني يبرد بواسطة هواء خارجي يمر خلال الحيز. أهداف البحث تتمثل في بحث ظاهرة انتقال الحرارة للجزء الإلكتروني الموضوع داخل الحيز وكيفية الوصول إلى افضل مستوى تبريد له, هذه المتغيرات سوف تساعدنا على تصور الأداء الحراري للجزء الإلكتروني وشكل تيارات الجريان المتكون من خلال فهم تأثير معاملات مختلفة على شكل الجريان. النتائج وضحت العلاقة بين معدل ارتفاع درجة الحرارة داخل الحيز ومعاملات انتقال الحرارة (Nu, Ra) مع (Ar, Q)لحالتين من الجريان الطباقي والاضطرابي. ER -