TY - JOUR ID - TI - Electrical Properties of n-CdSe/Si-p Junction Prepared by Chemical Bath Deposition Technique, from Different Weights of Sodium Selenosulfate and Constant Molarity الخصائص الكهربائية لوصلة n-CdSe/Si-p محضرة بتقنية الترسيب في الحمام الكيميائي، من أوزان مختلفة لسيلينوسلفات الصوديوم بمولارية ثابتة AU - Laith M. Al Taan ليث محمد الطعان AU - Sarah Y. Abdulkaleq سارة يحيى عبد الخالق PY - 2022 VL - 31 IS - 2E SP - 34 EP - 39 JO - Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين SN - 16089391 AB - A pn-junction was successfully fabricated by depositing n-type CdSe thin films on p-type Si as a substrate using chemical bath deposition technique (CBD) at 70oC. Time of deposition was 6 hours and the preparing solution was changed every 2 hours during the deposition. Sodium Selenosulfate (with different weights) is the source of Se-2 ions, cadmium nitrate is the source of Cd+2 ions. The (I-V) characteristics for the n-CdSe/p-Si junction show it behaves as a Zener diode in reverse bias, with Zener resistance (3 and 27×103). SEM also shows spherical-shape particles with difference grain size (3.8 and 19.8) nm.

تم تصنيع وصلة pn بنجاح من ترسيب أغشية رقيقة CdSe من النوع n على ركيزة Si من نوع p. باستخدام تقنية ترسيب بالحمام الكيميائي (CBD) عند 70 درجة مئوية. وكان وقت الترسيب 6 ساعات، حيث يتم تغيير محلول التحضير كل ساعتين أثناء الترسيب. استخدم سيلينوسلفات الصوديوم (بأوزان مختلفة وبمولارية ثابتة) كمصدر لأيوناتSe-2، ونترات الكادميوم كمصدر لايوناتCd+2. اظهرت خصائص (التيار–فولتية) للوصلة المحضرةn-CdSe/p-Si أنه يتصرف كثنائي زينر عند الانحياز عكسي للفولتية المسلطة، مع مقاومة زينر بقيمة ohm (and 27×103 3) لكل حالة. فيما أظهرت نتائج SEM وجود جزيئات كروية الشكل ومنها متجمعة معا ككتل دقيقة ونانوية وذات أحجام حبيبات مختلفة nm (3.8 و 19.8). ER -