@Article{, title={Fabrication and Study Se/Sb on Silicon Detector Heterojunction تصنيع ودراسة كاشف سيلينيوم/انتيمون سليكون من نوع مفرق هجين}, author={Khalid Z. Yahiya}, journal={Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا}, volume={26}, number={6}, pages={620-628}, year={2008}, abstract={The optical response characteristics of Se/Sb thin film heterojunction deposited ona p-type silicon substrate were studied. Results indicated that the obtained isotypeheterojunction is linearly graded and has 0.8V built-in potential. Also, the maximumspectral responsivity and maximum quantum efficiency were obtained at the region of (600-650) nm and the detectivity was about 7.77x1010 cm.Hz 1/2.W-1. Response time of themanufactured detector was about 225ns. This work is a good attempt to manufacture theheterojunction detector from V and VI elements.

في هذا البحث، جرى دراسة خصائص الاستجابية البصرية لكاشف المفرق الهجين المصنع من أغشيةسيلينيوم/انتمون الرقيقة المرسبة على قاعدة من السيليكون القابل .أظهرت النتائج المستحصلة أن المفرق الهجين0.8 ) تم الحصول على أقصى استجابية طيفية V) المتماثل هو من النوع المتدرج خطيًا ويمتلك جهد بناء داخلي7.77 ) جرى *1010cm.Hz1/2.W- 600-650 ) وبلغت القيمة الكشفية ( 1 ) nm وكفاءة كمية في منطقة الأطوال225 يعد هذا العمل محاولة جيد ة لتصنيع كاشف ns قياس زمن الاستجابة للكاشف المصنع وكان بحدودالمفرق الهجين من عناصر المجموعتين الخامسة والسادسة من الجدول الدوري.} }