@Article{, title={Preparation and the study optical and electrical properties of thin films for optoelectronic applications}, author={Khalid Z. Yahiya and Ammar H. Jraiz and Uday M. Nayef}, journal={Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا}, volume={26}, number={7}, pages={824-828}, year={2008}, abstract={Conductive transparent In2O3 thin films with (222) preferred orientation wereprepared by thermal oxidation (TO) in static air of indium thin films at condition(250°C/25 min). Detailed structural, electrical, and optical characteristics of thefilm are presented. The data are interpreted to give a direct band gap of(3.6) eV and indirect band gap of (2.5) eV. The In2O3 film has sheet resistance aslow as (20)Ω/□ . in absence of any post-deposition annealing conditions. Themobility of these films was estimated to be (31) cm2. V-1. s-1.

بطريقة الأكسدة الحرارية In2O تم تحضير غشاء رقيق موصل كهربائيا شفاف من 3250° ) تم دراسة خواص البناء الداخلي C/25min) في الهواء لغشاء الانديوم تحت حالة3.6 ) في )eV. والكهربائية والبصرية للغشاء ووجد أن فجوة الطاقة للانتقال المباشر كانت20Ω/□ 2.5 ) ومقاومة سطحية واطئة )eV حين كانت فجوة الطاقة للانتقال غير المباشر.(31) cm2.V-1s- بدون أي تلدين مسبق . أما حركية نواقل الشحنة لهذا الغشاء فكانت} }