TY - JOUR ID - TI - Properties of Inclined Silicon Carbide Thin Films Deposited By Vacuum Thermal Evaporation خواص أغشية كاربيد السليكون الرقيقة المرسبة بشكل مائل باستخدام التبخير الحراري في الفراغ AU - Khalid Z. Yahiya AU - Ammar H. Jraiz AU - Najem Abdu Al-Kazem PY - 2008 VL - 26 IS - 8 SP - 938 EP - 943 JO - Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا SN - 16816900 24120758 AB - In this work, thermal evaporation system was employed to deposit thin films of SiC onglass substrates in order to determine the parameters of them. Measurements includedtransmission, absorption, Seebak effect, resistivity and conductivity, absorption coefficient,type of energy band-gap, extinction coefficient as functions of photon energy and the effectof increasing film thickness on transmittance. Results explained that SiC thin film is an ntypesemiconductor of indirect energy and-gap of ~3eV,cut-off wavelength of 448 nm,absorption coefficient of 3.4395x104cm-1 and extinction coefficient of 0.154. Theexperimental measured values are in good agreement with the typical values of SiC thinfilms prepared by other advanced deposition techniques.

هذا البحث ، استخدمت منظومة التبخير الحراري لترسيب أغشية رقيقة من كاربيد السليكون علىقواعد زجاجية من اجل تحديد معاملات هذه الأغشية . تضمنت القياسات التي تم أجراؤه ا قياس طيفالنفاذية والامتصاص وتأثير سيباك والمقاومية والتوصيلة ومعامل الامتصاص ونوع فجوة الطاقة ومعاملالتخميد كدالة لطاقة الفوتون الساقط وكذلك تأثير زيادة سمك الغشاء على نفاذية العينات . أظهرت النتائجالتي تم الحصول عليها أن أغشية كاربيد السليكون الرقيقة هي مادة من النوع المانح ذات فجوة طاقة غير(3.439x104 cm- 448 ) ومعامل الامتصاص nm) 3) وكانت قيم الطول الموجي القاطع eV) مباشرة مقداره1 ومعامل التخميد ( 0.154 ) . تبدو القيم المستحصلة عمليا متفقة بشكل جيد مع القيم النموذجية لأغشية )كاربيد السليكون الرقيقة المحضرة باستخدام تقنيات متقدمة للترسيب . ER -