@Article{, title={Study of the Electronic Properties and Hall Effect of Amorphous Si1-xGex:H Thin Films دراسة الصفات الالكترونية وتأثير هول لأغشية a-Si1-xGex:Hالرقيقة}, author={H. K. Al-Lamy حسين خزعل اللاامي and M. N. Makadsi متي ناصر مقاديسي and M. F. A. Alias ميسون فيصل ألياس}, journal={Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء}, volume={7}, number={10}, pages={24-29}, year={2009}, abstract={The electronic properties and Hall effect of thin amorphous Si1-xGex:H films of thickness (350 nm) have been studied such as dc conductivity, activation energy, Hall coefficient under magnetic field (0.257 Tesla) for measuring carrier density of electrons and holes and Hall mobility as a function of germanium content (x = 0–1), deposition temperature (303-503) K and dopant concentration for Al and As in the range (0-3.5)%. The composition of the alloys and films were determined by using energy dispersive spectroscopy (EDS) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).This study showed that dc conductivity of a-Si1-xGex:H thin films is found to increase with increasing Ge content and dopant concentration, whereas conductivity activation energy decreases with increasing Ge content and dopant concentration. The carrier density (electrons and holes) of prepared films increases with increasing Ge content, dopant concentration and deposition temperature. The mobility and the mobility activation energy increase with increasing Ge content. The width of localized state is 0.215 eV for a- Si0.5Ge0.5:H thin film deposited at 503 K.

درست الصفات الالكترونية و تأثير هول لأغشية a-Si1-xGex:H الرقيقة ذات السمك كالتوصيلية لبمستمرة وطاقة التنشيط ومعامل هول (تحت مجال مغناطيسي 350nm) لقياس كثافة الحاملات كالألمترونات والفجوات وتحر كية هول كدالة لنسب الجرمانيوم (x=0-1) ودرجة الترسيب K(303-503 ) وتركيز التطعيم لـ Al و As بمدى (0-3.5) %.تم تحديد التركيب للسبائك والأغشية بواسطة مطياف التشتت الطاقي (EDS) ومطيافية الإلكترون الضوئي (XPS).أوضحت هذه الدراسة أن التوصيلة المستمرة لأغشية a-Si1-xGex:H تزداد بزيادة نسبة الجرمانيوم والتطعيم بينما تقل طاقة التنشيط للتوصيلية كما تزداد كثافة الحاملات(الالكترونات والفجوات) لللاغشية المحضرة مع زيادة نسب الجرمانيوم والتطعيم ودرجة حرارة الترسيب.تزداد التحركية وطاقة التنشيط للتحركية مع زيادة نسب الجرمانيوم كما آت عرض المستويات الموضعية هي 0.215 eV لغشاء a-Si1-0.5Ge0.5:H والمرسب عند 503K.} }