TY - JOUR ID - TI - Preparation and Study of Electrical Characteristics of (n-CdS/p-Ge) Thin-Film Heterojunction AU - Ahmed Shukur Hameed PY - 2009 VL - 27 IS - 9 SP - 1701 EP - 1710 JO - Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا SN - 16816900 24120758 AB - A thin film (400±5 nm) of Germanium was deposited on the slide glass, thenanother thin film (200±3 nm) of Cadmium Sulphide directly deposited on the Ge thinfilm, with high purity (99.999%) Aluminum metal was used as O’hmic contact on twosides of heterojunction (n-CdS/p-Ge) by vacuum thermal evaporation technique.From ideality factor (n) values, the current transporting mechanism in theheterojunction was explained, where three regions in I-V curve were appeared, that is tosay, three mechanism of current transportation through the manufactured heterojunctionin this research were eventually existed, the saturation current (IS) was found for eachregion at different temperature (100, 200, 300) K.Through C-V measurements we found built – in potential (Vbi), the donordensity (ND), the difference between Fermi level and conduction band (Ön), thedifference between Fermi level and valance band (Öp), the conduction and valence bandsdiscontinuity (DEC, DEV), and the depletion regions width (Xn, Xp) of heterojunction (n-CdS/p-Ge) of the frequencies (1, 0.5) MHz.

400 ) نانومتر من الجرمانيوم على شريحة زجاجية ومن ثم ± تم ترسيب غشاء رقيق ( 5 200 ) نانومتر من كبريتيد الكادميوم على غشاء الجرمانيوم مباشرة ، وقد ± ترسيب غشاء رقيق ( 3 أستخدم معدن الألمنيوم العا لي النقاوة (% 99.999 ) كإتصال أومي على طرفي المفرق الهجين بإستخدام تقنية التبخير الحراري في الفراغ. (n-CdS/p-Ge) فسرت آلية إنتقال التيار في المفرق الهجين حيث ظهرت (n) ومن خلال قيم عامل المثالية ثلاث مناطق في منحنى التيار – الفولتية مما يستدعي وجود ثلاث آليات إنتقال للتيار خلال المفرق لكل منطقة وعند درجات حرارية مختلفة (IS) المصنع في هذا البحث ، كما تم إيجاد تيار الإشباع 100,200,300 ) كلفن . ) وكثافة الشوائب المانحة (Vbi) من قياسات السعة – الفولتية فقد تم إيجاد جهد البناء الداخلي والفرق بين مستوى فيرمي وحافة (Φn) والفرق بين مستوى فيرمي وح افة حزمة التوصيل (ND) وعرض منطقتي (DEC, DEV) واللاإستمرارية في حزمتي التوصيل والتكافؤ (Φp) حزمة التكافؤ1) ميكاهيرتز. , للترددات ( 0.5 (n-CdS/p-Ge) للمفرق المتباين (Xn, Xp) النضوب ER -