@Article{, title={Electrical Investigation of PSi/Si (n-type) structure الاستقصاء الكهربائي لم ركب PSi/Si (نوع n)}, author={Iftikhar.M.Ali افتكار موسى علي and Issam.M.Ebrahim عصام محمد أبراهيم and Raad M. Al-Haddad رعد محمد صالح الحداد}, journal={Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء}, volume={7}, number={8}, pages={33-38}, year={2009}, abstract={In this work, porous Silicon structures are formed with photochemical etching process of n-type Silicon(111) wafers of resistivity (0.02.cm) in hydrofluoric acid (HF) of concentration (39%wt) under light source of tungeston halogen lamp of (100 Watt) power. Samples were anodized in a solution of 39%HF and ethanol at 1:1 for 15 minutes. The samples were realized on n-type Si substrates Porous Silicon layers of 100m thickness and 30% of porousity. Frequency dependence of conductivity for Al/PSi/Si/Al sandwich form was studied. A frequency range of 102-106Hz was used allowing an accurate determination of the impedance components. Their electronic transport parameters were determined using complex impedance measurements. These measurements provide a powerful tool for interpretation of basic properties such as the dielectric constant, polarizibility and frequency dependence in the crystallites and trapping mechanisms. The electrical conductivity is mainly controlled by hoping transport on localized states in the chaotic porous structure.

في هذا البحث تم تحضير السيليكون المسامي بطريقة الضؤي-الكيميائي لشرائح السيليكون (n- type (orientation (111)) ومقاومية (0.02 .cm) في حامض الهيدروفلوريك (HF) وبتركيز (39%) وباستخدام مصباح الهالوجين وبقدرة (100 watt) تم وضع العينات في سائل مكون من حامض الهيدروفلوريك والايثانول وبنسبة 1:1 ولمدة 15 دقيقة. العينات التي حضرت بهذه الطريقة كانت بسمك 100 مايكرون ومسامية 30%. تم دراسة اعتمادية التوصيلية على التردد وعلاقتها مع الممانعة وللعينات المحضرة بشكل سندويج Al/PSi/Si/Al وضمن مدى الترددات) 102-106 Hz ) . تم دراسة الانتقالات الالكترونية والتي تم من خلالها حساب ثابت العزل والاستقطابية واعتماديتهما على التردد على ميكانيكية القنص في المواد البلورية. اما التوصيلية الكهربائية تم تفسيرها اعتمادا على ميكاتيكية القفز في المستويات الموضعية في التركيب العشوائي للسيليكون المسامي.} }