@Article{, title={Electrical and Photovoltaic Properties of Ag:ZnO/Si Heterojunction Device Prepared by Spray Pyrolysis Methode}, author={Marwa Abdul Muhsien Hassan}, journal={Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم}, volume={15}, number={1}, pages={73-79}, year={2012}, abstract={In this work, ZnO/p-Si and Ag:ZnO/p-Si heterostracture has been constructed on (111) oriented p-type silicon substrate using spray pyrolysis method. ZnO films were prepared with different doping ratios. The electrical and photovoltaic properties of these films have been investigated in order to get the optimum preparation conditions. The built- in potential (Vbi) is calculated under different Ag doping ratios, while from I-V measurements, the ideality factor (n) is calculated.

في هذا البحث تم تحضير مفرق هجين من اوكسيد الزنك (ZnO/p-Si) واكسيد الزنك المشوب بالفضة (Ag:ZnO/p-Si) على قواعد من السليكون نوع p-type وعند نسب تشويب مختلفه باستخدام طريقة الرش الكيميائي. تم دراسة كلا من الخواص الكهربائيه والفولتائيه الضوئيه لهذه الافلام للوصول الى افضل الشروط المؤديه الى افضل النتائج.} }