TY - JOUR ID - TI - Growth Techniques and Some Physical Properties of InSb Single Crystal المسلك التكنولوجي لإنماء البلورة المفردة (InSb) ودراسة بعض خصائصها الفيزيائية AU - Fadhil Y. Hadi فاضل يوسف هادي AU - Ghuson H. Mohammed غصون حميد محمد AU - Mohammed K. Khalaf محمد خمّاس خلف PY - 2011 VL - 8 IS - 1 SP - 141 EP - 147 JO - Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم SN - 20788665 24117986 AB - Near intrinsic single crystal of InSb compound has been grown from the pure melting by annealing of two-zone furnuse technique and its some physical properties are characterized at room temperature. X-ray diffraction (XRD) observations show that the crystallographic direction is well oriented within (220) plane, while it is indicated that there is a poly crystalline structure for InSb thin films. The absorbance spectra at the fundamental absorption edge has been measured .The values of optical energy gap of single crystal specimens and deposited InSb films were calculated of 0.16 eV and 0.17 eV respectively at room temperature. The aim in this paper is to study and compare the growth of single crystal and thin film to InSb.

تم في هذا البحث إنماء بلورة مفردة من مركب InSb وبطريقة السحب من المنصهر النقي للمواد الأولية للمركب وباستخدام الفرن الحراري ذو النطاقين (two-zone furnes).درست بعض الخصاءص الفيزياوية للبلورة المنماة , حيث حدد التركيب البلوري للشرائح البلورية وكذلك الأغشية الرقيقة المرسبة بطريقة التبخير الحراري باستخدام مطياف الأشعة السينية (XRD) وأظهرت النتائج المستحصلة وجود شدة انعكاس عالية ومفردة تمثل اتجاه النمو البلوري للمستوي (220) لشرائح العينات البلورية بينما شدات انعكاس مختلفة لاتجاهات بلورية متعددة للأغشية الرقيقة تمثل التركيب البلوري المتعدد.حددت الخصائص البصرية عند حافة الامتصاص الاساسية للعينات المحضرة بدرجة حرارة الغرفة وقيست فجوة الطاقة البصرية وكانت قيمتها (0.16 eV) للشرائح البلورية المفردة و (0.17 eV) للأغشية الرقيقة المرسبة.ان الهدف من هذا البحث هو دراسة ومقارنة بعض الخواص الفيزيائية لبلورات منمات احادية البلورة واغشية رقيقة لمادة (InSb) . ER -