@Article{, title={Theoretical Model For Calculating the Temperature Rise Induced During the Process of Laser Heating of Silicon}, author={Hasan A. Hadi and Hussain S. Hasan and Hadi Jabbar Mujbil AL-Agealy}, journal={Journal of College of Education مجلة كلية التربية}, volume={}, number={5}, pages={36-45}, year={2011}, abstract={CW Nd:YAG Laser heating of silicon are modeled theoretically and the heat diffusion equations solved numerically for estimation of the temperature rise induced during these processes. The thermal properties of the substrate silicon is assumed variations in the case of CW Laser heating . Our results at estimation are agreement with experimental value .

تم دراسة تسخين السليكون بواسطة ليزر النديميوم – ياك ذو النبضات المستمرة كنموذج نظري ، وتم حل معادلات الانتشار الحراري عدديا باستعمال برنامج حسابي لإيجاد درجة الحرارة المرتفعة الناتجة خلال تلك العملية . كما افترضنا تغير الخواص الحرارية لمادة السليكون مع عملية تسخين الليزر ذو النبضات المستمرة لها ، علما بان نتائجنا أظهرت تطابق الحسابات مع القيمة العملية .} }