@Article{, title={The development and studies the current – voltage (I-V) characteristics for the metal- oxide-semiconductor تصنيع ودراسة مميزات التيار- الفولتية (I-V) لترانزستور تأثير}, author={Adel H.AL-Kiat , E.M.Abass , Y.N.Obaid, A.S.Al-Rowass Naeema Hadi Ali}, journal={Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء}, volume={3}, number={1 Arabic}, pages={12-19}, year={2011}, abstract={This paper contain the preparation of metal-oxide- semiconductor field- effect transistor MOSFET by using the lightography technique. In this work we studied (I-V) characteristics and also some physical variables for transistor calculated. The prepared transistor by using p- type silicon as a substrate has n-type channel (nMOSFET) its length and width equal to L=50 µm ,Z = 1000µm . The results showed that the output characteristics (ID-VD) and the trasfer charasteristics (ID-VG) was in agreement with the theoretical behaviour of the transistor , and the transistor is from the normally – on type nMOSFET depletion mode , with pinch – off voltage equal to -4 volt .

يتضمن البحث تصنيع ترانزستور تأثير المجال معدن – أوكسيد – شبه – موصل MOSFET بطريقة الطبع الضوئي ودراسة مميزات التيار – الفولتية (I-V) وحساب بعض المتغيرات الفيزياوية له .الترانزستور المصنع بأستعمال السليكون الموجب (p-type Si) ذي قناة من نوع – n (nMOSFET) طولها L = 50µm وعرضها Z =1000µm . أظهرت النتائج أن مميزات الاخراج للترانزستور (ID-VD) ومميزات الانتقال (ID-VG) تتفق مع السلوك النظري للترانزستور , وأنه من النوع المفتوح عادة (normally – on ) النضوب deletion وأن جهد الخنق له يساوي -4 volt .} }