TY - JOUR ID - TI - Optical Properties of GaN Thin Flim الخصائص البصرية لأغشية GaN الرقيقة AU - Salah Ed-Din Mansure صلاح الدين منصور AU - Salma M Shaban سلمى مهدي شعبان PY - 2009 VL - 7 IS - 8 SP - 59 EP - 62 JO - Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء SN - 20704003 26645548 AB - GaN thin films were deposited by thermal evaporation onto glass substrates at substrate temperature of 403 K and a thickness of 385 nm . GaN films have amorphous structure as shown in X-ray diffraction pattern . From absorbance data within the range ( 200-900 ) nm direct optical energy gap was calculated . Also the others optical parameters like transmittance T, reflectance R , refractive index n , extinction coefficient k , real dielectric constant , and imaginary dielectric constant were determined . GaN films have good absorbance and minimum transmittance in the region of the visible light .

رسبت أغشية GaN الرقيقة على قواعد زجاجية بدرجة حرارة قاعدة 403 Kوسمك 385 nm . أظهر نموذج حيود الاشعة السينية التركيب العشوائي لمركب GaN . حسبت فجوة الطاقة البصرية المباشرة من قيم الامتصاصية ضمن المدى (200-900) nm . كذلك حسبت العوامل البصرية الاخرى مثل معامل الانكسار R , النفاذية T , مغامل الخمود k , ثابت العزل الحقيقي , ثابت العزل الخيالي . وجد ان أغشيته تمتلك امتصاصية عالية واقل نفاذية في منطقة الضوء المرئي . ER -