@Article{, title={Optical properties of Pb1-xSnxSe epitaxial layers on (100)KCl, NaCl}, author={Mohammad M. Ali & Seif M. Meshari}, journal={Journal of Basrah Researches (Sciences) مجلة ابحاث البصرة ( العلميات)}, volume={37}, number={2A}, pages={50-56}, year={2011}, abstract={Epitaxial Pb1-xSnxSe layers were grown onto cleaved and polished (100) KCl,(100) NaCl and (111)CaF2 substrates in a high vacuum system by means of the hot-wall-epitaxy (HWE) method. The source temperature of Pb1-xSnxSe ~ 570 oC and substrates temperature are ranging from 200 to 275 oC by increasing step 25 oC, growth rate (1.51-2.4 μm/h). The optical absorption constant is determined using FTIR in the (0.496-0.062) eV photon-energy range at room temperature. The data have been analyzed to estimate the forbidden bandwidth.

الشرائح الفوقية للمركب الثلاثي Pb1-xSnxSe نُميت على القواعد الأحادية (100)KClو (100)NaCl و (111)CaF2 تحت ظروف تفريغ عالي باستخدام طريقة HWE، حيث كانت درجة حرارة المصدر للمركب الثلاثي ما يقارب 570 oC بينما تدرجت درجة حرارة القاعدة من 200 الى 275 oC بمقدار زيادة 25 oC لكل مرحلة تبخير، معدل النمو للشرائح أثناء التبخير بحدود (1.51-2.4μm/h). حُددت بعض الخواص الضوئية لهذا المركب باستخدام مطياف FTIR في مدى طاقة الفوتون (0.496-0.062) eV في درجة حرارة الغرفة، تم تحليل هذه الخواص للحصول على حزمة الطاقة الممنوعة أو فجوة الطاقة الضوئية (Egop).} }