@Article{, title={Front-Wall Illumination of Spray-Deposited PbS-Si HJ Detector إضاءة كاشف المفرق الهجين PbS-Si المحضر بطريقة الرش من جهة PbS}, author={Kadhim A. Hubeatir}, journal={Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا}, volume={30}, number={12}, pages={2010-2015}, year={2012}, abstract={(n-p) PbS-Si HJ detector has been fabricated by pyrolytic spraying of PbSheterolayer onto p-type silicon wafer. PbS-side of illumination in the wavelengthrange (450-1150 nm) revealed that the quantum efficiency plateau fairly conformsto that of Si homojunction. Significant specific detectivity of about 8.5 x 1011 cmHz1/2 W-1 has been obtained at 850 nm wavelength. Signal to noise ratio revealedan optimum operation voltage at 2.5 V.

بطريقة PbS بوساطة ترسيب طبقة (n-p) PbS-Si تم تصنيع كاشف المفرق الهجين نوعالرش الكيميائي الحراري على شريحة سليكونية قابلة. أظهرت نتائج إضاءة الكاشف من جهة450 أن له كفاءة كمية طيفية متشابهة مع الكفاءة الكمية – 1150 nm وبالمدى الطيفي PbS8.5 x للكاشف السليكوني المتجانس. أبدت هذه الكواشف كشفية نوعية عالية نسبياً تصل إلى850 . بينت نتائج قياس نسبة الإشارة إلى nm 1011 عند الطول الموجي cm Hz1/2 W-1.2.5 V الضوضاء أن أنسب فولتية انحياز عكسي لعمل الكاشف هي} }