TY - JOUR ID - TI - Front-Wall Illumination of Spray-Deposited PbS-Si HJ Detector إضاءة كاشف المفرق الهجين PbS-Si المحضر بطريقة الرش من جهة PbS AU - Kadhim A. Hubeatir PY - 2012 VL - 30 IS - 12 SP - 2010 EP - 2015 JO - Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا SN - 16816900 24120758 AB - (n-p) PbS-Si HJ detector has been fabricated by pyrolytic spraying of PbSheterolayer onto p-type silicon wafer. PbS-side of illumination in the wavelengthrange (450-1150 nm) revealed that the quantum efficiency plateau fairly conformsto that of Si homojunction. Significant specific detectivity of about 8.5 x 1011 cmHz1/2 W-1 has been obtained at 850 nm wavelength. Signal to noise ratio revealedan optimum operation voltage at 2.5 V.

بطريقة PbS بوساطة ترسيب طبقة (n-p) PbS-Si تم تصنيع كاشف المفرق الهجين نوعالرش الكيميائي الحراري على شريحة سليكونية قابلة. أظهرت نتائج إضاءة الكاشف من جهة450 أن له كفاءة كمية طيفية متشابهة مع الكفاءة الكمية – 1150 nm وبالمدى الطيفي PbS8.5 x للكاشف السليكوني المتجانس. أبدت هذه الكواشف كشفية نوعية عالية نسبياً تصل إلى850 . بينت نتائج قياس نسبة الإشارة إلى nm 1011 عند الطول الموجي cm Hz1/2 W-1.2.5 V الضوضاء أن أنسب فولتية انحياز عكسي لعمل الكاشف هي ER -