@Article{, title={The Electrical Conduction Process and Trapping Studies In SiO2 Films دراسة عملية التوصيل الكهربائي والقنص في أغشية ثاني أوكسيد السيليكون (SiO2)}, author={A. J. Jargis اياد جياد جرجيس and A. S. Mohammed and E. G. Younis}, journal={Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة}, volume={17}, number={2}, pages={164-168}, year={2012}, abstract={Electrical conduction in Silicon dioxide (SiO2) films of thickness range from 100-200 nm with aluminum top-contact have been studied. The (MOS) metal-Oxide-semiconductor structure is found to be strongly rectifying. In forward applied bias, the current is space-charge limited (SCL) with clear indications of progressive filling of traps. In reverse biasing condition, a Schottky-type, field-enhanced emission from the top-contact is believed to occur with  = 0.44 eV.

تم في هذا البحث دراسة التوصيل الكهربائي لأغشية ثاني أوكسيد السيليكون (SiO2) لسمك اوكسيد يتراوح بين (100-200) nm. وباستخدام الألمنيوم للتوصيل الفوقي. وقد وجد بأن تركيب معدن ـ أوكسيد ـ شبه موصل (MOS) يمتاز بتقويم عالي ، وأن آلية توصيل التيار عند الانحياز الأمامي هو التيار المحدد بالشحنة الفراغية (SCL) مع دليل واضح لمليء القوانص. ظهر أيضاً بأن آلية توصيل التيار عند الانحياز العكسي هو نوع شوتكي ـ للانبعاث المجالي وبحاجز جهد قدره  = 0.44 eV.} }