TY - JOUR ID - TI - The Electrical Conduction Process and Trapping Studies In SiO2 Films دراسة عملية التوصيل الكهربائي والقنص في أغشية ثاني أوكسيد السيليكون (SiO2) AU - A. J. Jargis اياد جياد جرجيس AU - A. S. Mohammed AU - E. G. Younis PY - 2012 VL - 17 IS - 2 SP - 164 EP - 168 JO - Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة SN - 18131662 24151726 AB - Electrical conduction in Silicon dioxide (SiO2) films of thickness range from 100-200 nm with aluminum top-contact have been studied. The (MOS) metal-Oxide-semiconductor structure is found to be strongly rectifying. In forward applied bias, the current is space-charge limited (SCL) with clear indications of progressive filling of traps. In reverse biasing condition, a Schottky-type, field-enhanced emission from the top-contact is believed to occur with  = 0.44 eV.

تم في هذا البحث دراسة التوصيل الكهربائي لأغشية ثاني أوكسيد السيليكون (SiO2) لسمك اوكسيد يتراوح بين (100-200) nm. وباستخدام الألمنيوم للتوصيل الفوقي. وقد وجد بأن تركيب معدن ـ أوكسيد ـ شبه موصل (MOS) يمتاز بتقويم عالي ، وأن آلية توصيل التيار عند الانحياز الأمامي هو التيار المحدد بالشحنة الفراغية (SCL) مع دليل واضح لمليء القوانص. ظهر أيضاً بأن آلية توصيل التيار عند الانحياز العكسي هو نوع شوتكي ـ للانبعاث المجالي وبحاجز جهد قدره  = 0.44 eV. ER -