TY - JOUR ID - TI - The Growth and Investigation of Interface of Sio2/Si by Anodic Oxidation Technique Using Acetic Acid Medium استقصاء السطح البيني SiO2/Si المنمى بطريقة تقنية الأكسدة الانودية باستخدام حامض ألخليك AU - Sadallah. T. Sulaiman سعد الله توفيق سليمان AU - Yahya N. Al-Jammal يحيى نوري الجمال AU - Assim A. Issa عاصم احمد عيسى PY - 2012 VL - 23 IS - 4E SP - 117 EP - 126 JO - Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين SN - 16089391 AB - This work investigats the physical properties and the nanotopography of the growth SiO2 film in the thickness range (2.2- 12.9) nm on Silicon polycrystalline p-type substrates, by using the anodic oxidation technique using acetic acid medium containing 0.1N KNO3 as supporting electrolyte. In this technique the polarization curve indicates the presence of active peak. The chemical analysis of the surface of SiO2 has been done by (SEM ) shows the presence of O and C elements, The films thickness has been found that is increases as formation potential increases. The quality of the Si/SiO2 interface, as examined by FTIR and it appears, the value of band absorption displacement depends on SiO2 thickness. Moreover the bond angle Si–O–Si has been found to depends on SiO2 thickness. The (AFM) is used to study the nanotopography of SiO2 film. However it has been found that a relation between SiO2 film thickness and roughness of the SiO2 film (As the SiO2 thickness increase the surface roughness of SiO2 film increase too ).

يتضمن هذا العمل التحري عن الخواص الفيزياوية وطوبغرافية السطح النانوي لغشاء SiO2 ذي سمك بحدود (2.2- 12.9) nm، والمنمى على أرضية سليكونية متعدد البلورات نوع p-type وذلك باستخدام تقنية الأكسدة الانودية وباستعمال محلول حامض ألخليك بوجود 0.1N KNO3 كاالكتروليت مساعد. في هذه التقنية تبين ظهور قمة التنشيط في منحني الاستقطاب. ولقد تبين من التحليل الكيميائي لسطح SiO2 باستخدام SEM بوجود عنصر الأوكسجين (O)، وعنصر الكاربون (C). وكذلك لوحظ أن سمك الاوكسيد SiO2 يزداد بزيادة جهد الإنماء. تم استخدام FTIR للتعرف على نوعية السطح البيني ل Si/SiO2 ولقد وجد إن قيمة كل من مقدار زحف حزمة الامتصاصية وزاوية الآصرة (Si – O – Si ) يعتمدان على سمك الاوكسيد. وأخيرا تم استخدام تقنية AFM لدراسة طوبغرافية النانوية لغشاء SiO2 ووجد أن هنالك علاقة بين سمك الاوكسيد ومعدل خشونة السطح إذ تزداد خشونة السطح مع زيادة سمك الاوكسيد. ER -