@Article{, title={Study of the electronic structure of indium gallium phosphide In0.5Ga0.5P nanocrystals دراسة الخواص الالكترونية النانوية للانديوم – كاليوم – فوسفايد}, author={Mudar A. Abdulsattar مضر احمد عبد الستار and Mohammed T. Hussein محمد تقي حسين and Thekra Kasim ذكرى قاسم}, journal={Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء}, volume={10}, number={19}, pages={19-24}, year={2012}, abstract={The electronic structure of zinc blend indium gallium phosphide In0.5Ga0.5P nanocrystals which have dimension (2-2.8 nm) is investigated using the density functional theory coupled with large unit cell (LUC) for the different size core (8 ,16,54,64) atoms respectively. The investigated properties include total energy, energy gap, conduction band, valence band, cohesive energy, ionicity and density of state etc. as a function of core size and lattice constant. Results show the shape effect of increasing the core size and lattice constant on these electronic properties.

تمت دراسة التركيب الالكتروني لبلورات الانديوم – كاليوم – فوسفايد (In0.5Ga0.5P) ذات الابعاد مابين (2-2.8) نانومتر باستخدام نظرية دوال الكثافة (DFT) مع طريقة (LUC) لمنطقة اللب( 8 ،16 ،54 ،64 ) ذرة على التوالي . ان الخواص التي تم بحثها تضمنت الطاقة الكلية ، فجوة الطاقة ، حزمتي التكافؤ والتوصيل ، طاقة الترابط وكثافة المستويات مع حجم اللب وثابت الشبيكة . النتائج بينت تأثير الشكل بسبب زيادة حجم اللب مع ثابت الشبيكة على هذه الخواص الالكترونية .} }