@Article{, title={The Thermoelectric Properties of Vacuum Evaporated In0.8Se0.2 alloy Thin Film Nanostructure}, author={Amar H. Jareeze}, journal={Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم}, volume={16}, number={2}, pages={124-128}, year={2013}, abstract={In0.8Se0.2 thin films were prepared on glass substrate by vacuum evaporation technique at a pressure of 10-5 torr. The crystallinity of the thin film has been analyzed by X-ray diffraction, which show the formation of hexagonal system, Scanning Electron and Atomic Force microscopy examination indicates that the grain size have nearly spherical shape with diameters range from 100nm to 600nm. The thermoelectric properties of the films were determined over the thickness of 200nm Thermoelectric properties show a negative sign exhibiting n- type semiconducting nature of films. The electrical conductivity and Seebeck coefficient were measured from room temperature up to about 423 K, the Seebeck coefficient increases with increasing temperature and the electrical conductivity decreases with increasing the temperature of the sample the power factor coefficient increases with increasing temperature.

تم تحضير غشاء رقيق من مادة In0.8Se0.2 على قواعد زجاجية بطريقة التبخير الحراري تحت ضغط 10-5تور . جرى تحليل ودراسة خاصية التبلور للغشاء الرقيق بأستخدام جهاز حيود الاشعة السينية ووجد ان الغشاء سداسي التبلور وجرى ايضا دراسة سطح الغشاء بجهاز المجهر الالكتروني الماسح ومجهر القوى الذرية ووجد ان الحجم الحبيبي كروي الشكل تقريبا بأقطار حوالي من 100 نانومتر الى 600 نانومتر تم قياس سمك الغشاء ووجد سمكه 200 نانومتر وتم دراسة الخواص الكهروحرارية ووجد ان الغشاء من النوع n-type والخواص الكهربائية ومعامل سيبك كدالة لدرجة الحرارة في درجة حرارة الغرفة الى حوالى 423 كلفن ووجد ان معامل سيبك يزداد مع زيادة درجة الحرارة اما التوصيلية فقد قلت مع زيادة الحرارة اما معامل القدرة فقد ازداد مع زيادة الحرارة .} }