TY - JOUR ID - TI - Study of Optoelectronic Properties CdS-Si Heterojunction Prepared by Chemical Bath Deposition Method دراسة الخصائص الكهروبصرية لمفرق هجيني نوع CdS-Si محضر بطريقة ترسيب بالحمام الكيميائي AU - Hani H. Ahmed هاني هادي احمد PY - 2012 VL - 6 IS - 3 SP - 79 EP - 84 JO - Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة SN - 19918941 27066703 AB - CdS-Si heterojunction detector has been prepared by chemical bath deposition method . Structure properties of these films was characterized by X-ray diffraction .CdS films deposited have polycrystalline structure cubic(zinc blende) and hexagonal. The average grain size is 45 nm .The optical properties of the CdS films have highly transmittance in visible region of spectrum and reach to more than 80 % with a wide band gap of 2.44 eV .Electrical properties of CdS-Si heterojunction have been investigated. The I-V characteristics under dark condition depict that good rectification behavior and exponential relationship for forward current biasing. The C-V measurements have shown that the heterojunction were of abrupt type and the build-in potential equal to 1.75V. The optoelectronic characteristics shows that CdS-Si detector has good spectral responsivity in the visible and the near infrared and show high sensitivity, in comparison with the conventional p-n silicon detectors.

تم تحضير كاشف المفرق الهجين نوع CdS-Si بطريقة ترسيب الحمام الكيميائي . والخصائص التركيبة لهذه الأغشية شخصت باستخدام تقنية حيود الأشعة السينية(XRD) .وجد ان أغشية CdS تمتلك تركيبا" بلوريا" مكعبا"(خارصين) وسداسيا" .معدل الحجم الحبيبي 45nm. والخصائص البصرية بينت إن غشاء CdS المرسب يمتلك نفاذية عالية في المنطقة المرئية من الطيف وتصل إلى أكثر من 80% مع فجوة طاقة عريضة 2.44 eV .وتم أيضا" تحليل الخصائص الكهربائية للمفرق الهجين CdS-Si .وأظهرت نتائج خصائص( تيار- جهد) تحت شرط الظلام صفة التقويم والسلوك ألأسي لتيار الانحيازيين الأمامي والعكسي. بينت نتائج قياسات (سعة - جهد) ان المفرق المصنع هو من النوع الحاد وان الجهد البناء الداخلي يساوي الى 1.75 V.الخصائص الكهروبصرية بينت إن الكاشف CdS-Si يمتلك استجابية طيفية جيدة في المنطقة المرئية وتحت الحمراء القريبة من الطيف ويعطي استجابية طيفية عالية مقارنة مع الكواشف السليكونية التقليدية. ER -