TY - JOUR ID - TI - optical properties of the hetrojenction (n-Ge / p-GaAs الخصائص البصرية لنبيطة المفرق المتباين (n-Ge / p-GaAs) AU - Ahmed Omran Abdulkareem احمد عمران عبد الواحد AU - Abdulrazak Muhammad انس عبد الرزاق محمد AU - Suad Muhammad Ali سعاد محمد علي PY - 2013 VL - IS - 1 SP - 379 EP - 392 JO - Journal of College of Education مجلة كلية التربية SN - 18130380 AB - In this paper, heterojunction will be prepared using Galuim Arsanide (GaAs) slices as a substrate Germanium will be evaporated to be used as thin film on the substrate. Hetero junction samples for (Ge / P-GaAs) were preparing using (Ge-Au) with (0.12- 0.88) respectively. All these samples were annealed at (673 K) for 30 minutes. Spectral response, Detectivity efficiency, quantum efficiency, specific detectivity of equivalent noise power were evaluated through the measurement of optical current characteristics for this hetero junction, to study its usability in IR and near IR detect system.

تم في هذا البحث تحضير نبائط المفرق المتبـاين باسـتخدام شـرائح زرنيخـات الكـاليوم ( GaAs ) كقاعـدة ( Substrate ) واستخدام الجرمانيوم ( Ge ) لتبخيره كغشاء رقيق على القاعدة بطريقة التبخير الحراري. تم تحضير نماذج المفرق المتباين لكل من الـ(Ge / P-GaAs ) بتماس أومي سبيكة ذهب - جرمانيوم ( Ge-Au) بنسبة (0.12- 0.88) على التوالي. تم تلدين جميع النماذج في درجة حرارة (673) كلفن ولمدة نصف ساعة. ومن خلال قياس خصائص التيـــار الضوئي لنبائط المفرق المتباين (Ge / P-GaAs ) تم حساب الاستجابة الطيفية والكفاءة الكمية والكشفية وكذلك الكشفية النوعية والقدرة المكافئة للضوضاء لغرض تحديد إمكانية استخدامها في الدوائر الإلكترونية وفي منظومة الكشف عن الأشعة المرئية وتحت الحمراء القريبة . ER -