TY - JOUR ID - TI - Fabrication based porous silicon photo-detector and improving its spectral responsivity by depositing IZO thin films صناعة كاشف ضوئي بالاعتماد على السليكون المسامي وتحسين استجابته الطيفية بترسيب اغشية اوكسيد الخارصين الرقيقه المشوبه بالانديوم AU - Wisam J. Aziz and Abbas K. Jarhallah PY - 2014 VL - 12 IS - 4 SP - 166 EP - 172 JO - journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء SN - 18130410 AB - In this work porous silicon was prepared by electrochemical etching, then IZO thin films were deposited on porous silicon. SEM pictures showed different morphology for all from porous silicon and IZO films deposited on porous silicon. The pores diameter ranges from (0.5-1 μ m). AFM pictures showed the smoothness increased with depositing IZO films. The average roughness is (34.12 nm), (23.4 nm) and the root mean square is approximately (41.88 nm), (28 nm) for porous silicon and IZO film deposited on porous silicon respectively. The results showed increasing of the spectral responsivity with depositing IZO film. Spectral responsivity for photo detractor is about (0.69 A / Watt) then it improved by depositing IZO films and becomes (0.84 A / Watt).

في هذا العمل تم تحضير السيليكون المسامي بالتنميش الكهروكيميائي، ثم تم ترسيب اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بالأنديوم على السيليكون المسامي. صور المجهر الالكتروني الماسح لكل من السيليكون المسامي و اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بالأنديوم المترسبة على السيليكون المسامي تظهر اختلاف في طبيعة السطح، تتراوح اقطار المسامات (0.5-1) مايكرو متر. بينت صور مجهر القوة الذرية زيادة النعومة مع ترسيب اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بلانديوم. متوسط الخشونة (34.12نانو متر),(23.4نانومتر) ومتوسط الجذر التربيعي تقريبا (41.88نانو متر)، (28نانو متر) للسيليكون المسامي و اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بلانديوم المترسبة على السيليكون المسامي على التوالي. بينت النتائج ازدياد الاستجابة الطيفية مع ترسيب اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بلانديوم. الاستجابة الطيفية للكاشف الضوئي (0.69 امبيرواط) ثم تحسنت بترسيب اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بلانديوم واصبحت (0.84امبير واط). ER -