TY - JOUR ID - TI - Fabrication and Characterization CdO:In/Si Photovoltaic Solar Cell Prepard By Thermal Evaporation تصنيع وخصائص الخلية الشمسية الفولتائية CdO:In/Si المحضرة بوساطة التبخير الحراري AU - Mohammed H.Mustafa PY - 2014 VL - 27 IS - 3 SP - 273 EP - 278 JO - Ibn Al-Haitham Journal For Pure and Applied Sciences مجلة ابن الهيثم للعلوم الصرفة والتطبيقية SN - 16094042 25213407 AB - In this work, CdO:In/Si heterojunction solar cell has been made by vacuum evaporation of cadmium oxide doped with 1% of indium thin film onto glass and silicon substrates with rate deposition (3.9A/sec) and thickness(≈250nm). XRD was investigated, the transmission was determined in range (300-1100)nm and the direct band gap energy is 2.43 eV, I-V characterization of the cell under illumination was investigated , the cell shows an open circuit voltage (Voc) of 0.6 Volt, a short circuit current density (Jsc) of 12.8 mA/cm2, a fill factor (F.F) of 0.66, and a conversion efficiency (η) of 5.2%.

في هذا البحث، صنعت خلايا شمسية هجينة نوع CdO:In/Si ،وذلك بتبخير أغشية الكادميوم المشوب بـ (1% ) انديوم على قواعد زجاجية و سليكونية و بمعدل ترسيب ( (3.9A/sec وسمك (≈250nm) .درس التركيب البلوري للغشاء بوساطة حيود الأشعة السينية، ومن طيف النفاذية للمدى nm((300-1100 , حسبت فجوة الطاقة المباشرة وكانت قيمتها(2.43 )eV ، واجريت قياسات تيار- جهد في حالة الإضاءة فتبين ان للخلية أداء فولتائي جيـــد , اذ إن كثافة تيار الدائرة القصيرة (Jsc) (cm2 12.8 mA/) وان فولتية الدائرة المفتوحة (Voc) ( 0.6 Volt) وبكفاءة تحويل (η) (5.2%) وعامل ملء(0.66) (F.F). ER -