In this research, we studying the effect of rapid thermal oxidation treatment on the electrical and conduction mechanism properties for porous silicon prepared by photo electrochemical etching by using diode laser has 810nm wavelength with power 2W. Oxidation process occurs by using tungsten halogen lamp with power 1000W. Dark I-V characteristics of Al/ PS/ Si/ Al structure shows a behavior of PS/n-Si isotype heterojunction for fresh device and a MIS (metal-insulator-semiconductor) for device after oxidation due to contribution of Al/PS schottky barrier after oxidation process. After investigated current–voltage (J-V) measurement, we found increase in barrier height and rectification ratio with increasing oxidation time, the barrier height changed (0.65 to0.72 eV), rectification ratio was varied from (4 to 22). The resistivity and saturation current density will be decreased after oxidation process where the reasistivity was decreased from ((98 to 65 Ω.cm), saturation current density was decreased from (1.2 to 0. 06 µA/cm2).

في هذا البحث، تم دراسة تأثير الأكسدة الحرارية السريعة على الخصائص الكهربائية وميكانيكية التوصيل للسليكون المسامي المحضر بطريقة تشعيع الليزر أثناء عملية القشط الكهروكيميائي باستخدام ليزر ثنائي الوصلة يمتلك طول موجي nm 810 مع قدرة 2W ، عملية الأكسدة تمت باستخدام مصباح التنكستن الهالوجيني يمتلك قدرة1000W . خصائص تيار- فولتية في حالة الظلام لتركيب Al/ PS/ Si/ Alبينت تصرف مفرق هجين متجانس PS/n-Si للعينات بدون أكسدة وMIS (معدن-عازل- شبه موصل) للعينات المؤكسدة ناتج من حاجز شوتكي بعد عملية الأكسدة. من خلال دراسة الخصائص الكهربائية وجد زيادة حاجز الجهد ونسبة التقويم مع زيادة زمن الأكسدة، قيمة حاجز الجهد تغيرت من 0.65) إلى (0.72 eV ،نسبة التقويم تغيرت من (4 الى22). المقاومية و تيار الإشباع قلت بعد عملية الأكسدة حيث قلت المقاومية من (98 إلى (65 Ω.cm ،تيار الإشباع قل من1.2) إلى (0.06µA/cm2.