research centers


Search results: Found 119

Listing 1 - 10 of 119 << page
of 12
>>
Sort by

Article
Determination of the Optimum Conditions for the Production of Gamma Alumina (ɤ-Al2O3) By the Precipitation Method of the Sodium Aluminate Solution

Authors: Alaa D. Jawad Al-Bayati --- Habaib A. Majeed Al-Taee --- Ibtehaj Faisal Abdulraheem
Journal: Iraqi Journal of Chemical and Petroleum Engineering المجلة العراقية للهندسة الكيمياوية وهندسة النفط ISSN: 19974884/E26180707 Year: 2016 Volume: 17 Issue: 2 Pages: 79-86
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Design of experiments (DOE) was made by Minitab software for the study of three factors used in the precipitation process of the Sodium Aluminate solution prepared from digestion of α-Al2O3 to determine the optimum conditions to a produce Boehmite which is used in production of ɤ-Al2O3 during drying and calcination processes, the factors are; the temperature of the sodium aluminate solution, concentration of HCl acid added for the precipitation and the pH of the solution at which the precipitation was ended. The design of the experiments leads to 18 experiments. The results show that the optimum conditions for the precipitation of the sodium aluminate solution which leads to the production of gamma alumina are 6.5 pH, Temperature of solution is 90 C and the concentration of the hydrochloric acid (HCl) is 21%. While all other conditions lead mainly to other phases of alumina which is mainly epsilon- alumina (ε-Al2O3).

Keywords

Gamma alumina --- Precipitation --- XRD


Article
Effect of γ- Irradiation on the n- Porous Silicon Structures Prepared by Electrochemical Etching
تأثير تشعيع γ على تراكيب السليكون المسامي (n) المحضر بالقشط الكهروكيميائي

Author: Abdulkahlig A. Sulaiman عبد الخالق ايوب سليمان
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2018 Volume: 27 Issue: 3E Pages: 173-180
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Porous Silicon has been prepared by using electrochemical cell at room temperature with etching time (20 min), current (30 mA) and fixed electrolyte solution HF:C2H5OH(1:4). The samples are irradiated by γ-ray with various doses (50,100) Gy. Several techniques such as scanning electron microscope (SEM), X-ray diffraction (XRD) and Ramman Spectrum were used to study the influence of the γ- irradiation of porous silicon (PSi). SEM images show the random distribution of pores that cover all the surface which have different sizes and spherical shapes. XRD analysis, which indicated that n- type porous silicon and the samples irradiated at 50 and 100 Gy of γ- ray grow in hexagonal structure having preferred orientation along (002) plane in c-direction. An extremely symmetric band shape were recognized from Raman spectra of PSi

حضر السليكون المسامي باستخدام الخلية الكهروكيميائية عند درجة حرارة الغرفة بزمن قشط (20 min.)، تيار (30 A) ومحلول الكتروليتي ثابت HF:C2H5OH(1:4). العينات تم تشعيعها بأشعة γ بجرعات مختلفة (50,100 Gy). استخدمت عدة تقنيات مثل المجهر الالكتروني الماسح (SEM)، حيود الأشعة السينية (XRD) وطيف رامان لدراسة تأثير تشعيع γ على السليكون المسامي. تبين صور SEM التوزيع العشوائي للمسامات التي تغطي جميع السطح بأحجام وأشكال دائرية مختلفة. تحليلات XRD تشير إلى أن السليكون المسامي من النوع n والعينات المشععة بأشعة γ عند (50,100 Gy) تنمو بالتركيب السداسي والاتجاه المفضل له على طول المستوي (002) بالاتجاه c. تم التعرف على شكل حزمة التناظر للسليكون المسامي إلى حد كبير من طيف رامان


Article
Structural and electrical properties of CdO/porous Si heterojunction
دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق الهجيني CdO/porous Si/c-Si المصنع بطريقة التنميش الكيميائي

Loading...
Loading...
Abstract

The electrical properties of CdO/porous Si/c-Si heterojunction prepared by deposition of CdO layer on porous silicon synthesized by electrochemical etching were studied. The structural, optical, and electrical properties of CdO (50:50) thin film prepared by rapid thermal oxidation were examined. X-ray diffraction (XRD) results confirmed formation of nanostructured silicon layer the full width half maximum (FWHM) was increased after etching. The dark J-V characteristics of the heterojunction showed strong dependence on etching current density and etching time. The ideality factor and saturation current of the heterojunction were calculated from J-V under forward bias. C-V measurements confirmed that the prepared heterojunctions are abrupt type .The value of built-in-potential as function of etching current density was estimated.

تم دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق الهجيني من خلال ترسيب غشاء رقيق من اوكسيد الكادميوم على السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي. تم دراسة الخصائص التركيبية والبصرية والكهربائية لغشاء اوكسيد الكادميوم المحضر بطريقة الاكسدة الحرارية السريعة.لقد اثبتت نتائج حيود الاشعة السينية ان السليكون المعالج كهروكيميائيا هو من النوع النانوي.اوضحت النتائج العملية ان خصائص تيار-جهد في حالة الظلام اعتمدت بشكل كبير على كثافة تيار وزمن التنميش الكهروكيميائي.مقدار عامل المثالية وتيار الاشباع كدالة لكثافة تيار التنميش تم حسابها من خصائص تيار–جهد في حالة الانحياز الامامي. لقد اوضحت خصائص سعة – جهد ان المفارق الهجينة هي من النوع الحاد وتم حساب جهد البناء الداخلي كدالة لظروف التحضير.


Article
Dependence of Structure and Optical Characterization of (Bi2Te3) Films Prepared by Flash Evaporation on Annealing Temperatures
اعتماد الخاصية التركيبية والبصرية لغشاء (Bi2 Te3) والمحضر بطريقة التبخر الوميضي على درجات حرارة تلدينة

Authors: Hussain Kh.Rasheed --- Ghuson H .Mohamed --- Khalil I. Inad
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 729-736
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this study Bi2Te3 stoichiometry alloy was fabricated by using melting method in the electric furnce at temperature (580 0C for 6h). Thin films (Bi2Te3 ) were deposited by flash technique under vacuum 10-5 Torr . The thickness measured of films was 500nm .the influence of annealing temperature (100 -200) 0C was studied structure and optical properties of Bi2Te3 thin films. Structural properties for thin films of Bi2Te3 were investigated by XRD and AFM analysis. The XRD analysis of alloy show that poly crystalline phase for Bi2Te3 stoichiometry while the films prepared were amorphous at room temperature and phase transition to polycrystalline under annealing with preffered orientation at (015) corresponding to( 2θ =27.639) .FT-IR measured were studied for Bi2Te3 in range of (400-4000 )cm-1 under annealing temperature and this measured show that decreasing of Eg with increasing annealing temperature ,this can be interpreted in term improved the crystal structure.

في هذا البحث فأن سبيكة البزموث-تيليريوم والتي تم حسابها وزنيا تم تحضيرها بطريقة الانصهار في فرن كهربائي وعند درجة حرارية تصل الى 580مο ولمدة 6 ساعات .اما غشاء تلك السبيكة فقد تم تحضيـــــــره بطريقة التبخير الوميضي وعند ضغط واطيء يصل الى 10-5 تور .والعامل الرئيسي والذي تمت دراسته في هذا البحث هو تأثير درجة حرارة التلدين علـــــى الخواص التركيبية والبصرية للغشاء ضمن المــــدى (100-200)مο .فبالنسبة للخواص التركيبية للغشــــــاء فقد تمت دراستها باستخدام قياس نمط حيود الاشعـة السينية وكذلك باستخدام قياس مجهر التركيب الدقيق لطبيعة سطح الغشاء .ان تحليل حيود الاشعة السينيـــــة اكد بأن سبيكة البزموث-تيليريوم هي في طورمتعدد التبلور اما الغشاء المحضر لنفس السبيكة فقد تبين انــــه في طور عشوائي عند درجة حرارة الغرفة ولكنه عند اجراء عملية تلدين الغشاء فأنه يتحول الى الطور متعدد التبلور .اما خ واص الغشاء البصرية فقد تمت دراستها باستخدام قياس تحويلات فورير للاشعة تحت الحمـــراء حيث تبين ان فجوة الطاقة البصرية لمادة الغشاء تتناقص بازدياد درجة حرارة التلدين .

Keywords

Bi2Te3 --- XRD --- AFM --- FT-IR


Article
Structural , Morphological and Electrical Properties of AgSbSe2 Thin Films
الخواص التركيبية والكهربائية لاغشية AgSbSe2 الرقيقة

Authors: Bushra A.Hasan --- Issam M. Ibrahim
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 7 Part (B) Scientific Pages: 1283-1289
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

AgSbSe2thin films with different thicknesses (100,300,500, and 700nm) have been deposited by single source vacuum thermal evaporation onto glass substrates at ambient temperature to study the effect of thickness on its structural morphology, and electrical properties. The X–ray diffraction patterns of AgSbSe2thin film show that with low thickness (t=100,300 and 500nm) have amorphous structure convert to polycrystalline structure with increase thickness to 700 nm..AFM measurements show that the average grain size increases while the average surface roughness decreases with the increase of thickness. The DC conductivity of the vacuum evaporated AgSbSe2thin films was measured in the temperature range (298-473)K and was found to increase on order of magnitude with increase of thickness. The plot of conductivity with reciprocal temperature suggests, there are two activation energies Ea1, andEa2 for AgSbSe2for all and thicknesses which decrease with increasing thickness. The electric carrier concentration and mobility show opposite dependence upon thickness.

تم تحضير اغشية رقيقة من AgSbSe2 باسماك مختلفة (t=100,300 , 500and 700nm) عند درجة حرارة الغرفة على قواعد من الزجاج استخدام طريقة التبخير الحراري وتحت الفراغ لدراسة تأثير السمك على الخواص التركيبية والكهربائية. طيف الاشعة السينية اظهر ان اغشية AgSbSe2 وعند الاسماك الواطئة t=100,300 , 500 كانت لها ذات عشوائية التركيب تحولت الى متعددة البلورات عند زيادة السمك الى t=700nm .فحص مطياف القوى الذري اظهر ان معدل حجم الحبيبة لاغشية AgSbSe2 ازداد بينما هبط معدل الخشونة مع زيادة السمك. قياس التوصيلية الكهربائية المستمرةلاغشية AgSbSe2 المحضرة بالتبخير الحراري ضمن مدى درجات الحرارة(298-473)K اظهرت ان التوصيلية ازدادت رتبة واحدة مع زيادة السمك.العلاقة بين مقلوب درجة الحرارة ولوغارتم التوصيلية بينت ان هناك طاقتي تنشيط Ea1 و Ea2 لاغشية AgSbSe2 لجميع الاسماك والتي تناقصت قيمهما مع زيادة السمك . كثافة حاملات الشحنة والتحركية ظهرت سلوكا معكوسا مع زيادة السمك.

Keywords

AgSbSe2thin films --- D.C --- XRD


Article
Effect of Heat Treatment on Changes In The Crystalline Domains In Mylar Film
تأثير المعاملة الحرارية على التغير في الحقول البلورية لفلم المايلر

Authors: N. N. Rammo --- M. Abd-Sattar Mohammed --- A. H. Abd Al-Razak
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 10 Pages: 1997-2004
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Changes in the crystalline domains caused by heat treating Mylar filmsbetween Tg to 240 oC have been studied by Fourier Transform Infraredspectroscopy (FTIR) and X-ray Diffraction (XRD). Prior to glass transition temperature, shrinkage in the film is insignificant, but progresses rather abruptly as melting point is approached bringing the smooth film surface to rather wrinkle.The absorbance increase in the FTIR spectra is due to the thickened film caused by shrinking rather than the improvement in the crystalline orientation. XRD on the other hand show that heat treatment of the film near melting point only reduces the contribution of the crystalline domains in the direction [100] in favor of other direction namely rather than on the account of loosing order in favor of the amorphous regions.

درست التغيرات في الحقول البلورية المتسببة من المعاملة الحرارية لأفلام المايلر بتحويل قبل درجة الانتقال .XRD و حيود الأشعة السينية FTIR فورير للأشعة تحت الحمراء الزجاجي ، يكون الانكماش في الفلم غير ملحوظ ، لكن يتقدم نوعا ما بشكل مفاجئ عند الاقتراب من نقطة الانصهار ليجلب سطح الفلم الصقيل إلى سطح متجعد. تكون الزيادة في بسبب التثخن في الفلم جراء الانكماش بدلا من التحسن في FTIR الامتصاص في أطياف بان المعاملة الحرارية للفلم قرب XRD التوجيه البلوري. من جهة أخرى تبين أطياف نقطة الانصهار تنقص فقط من مشاركة الحقول البلورية في التوجيه [ 100 ] لصالح توجيهأخر عوضا عن فقدان التوجيه لصالح المناطق العشوائية.


Article
Structural, Chemical and Morphological of Porous Silicon Produced by Electrochemical Etching
تركیبیة وكیمیائیة وتراكیب السطوح السلیكون المسامي المنتج بالتنمیش الكھروكیمیاوي

Authors: Amna A. Salman --- Fatima I. Sultan --- Uday M. Nayef
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 5 Pages: 855-867
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, the nanocrystalline porous silicon (PS) films is prepared by electrochemical etching of p-type silicon wafer with different currents density (15 and 30 mA/cm2) and etching times on the formation nano-sized pore array with a dimension of around few hundreds nanometric. The films were characterized by the measurement of XRD, FTIR spectroscopy and atomic force microscopy properties.We have estimated crystallites size from X-Ray diffraction about nanoscale for porous silicon and Atomic Force microscopy confirms the nanometric size Chemical fictionalization during the electrochemical etching show on surface chemical composition of PS. The etching possesses inhomogeneous microstructures that contain a-Si clusters (Si3–Si–H) dispersed in amorphous silica matrix and (O-SiO,C-SiO). From the FTIR analyses showed that the Si dangling bonds of the as-prepared PS layer have large amount of Hydrogen to form weak Si–H bonds. The atomic force microscopy investigation shows the rough silicon surface, with increasing etching process (current density and etching time) porous structure nucleates which leads to an increase in the depth and width (diameter) of surface pits. Consequently, the surface roughness also increases.

في ھذا البحث تم تحضیر أغشیة السلیكون المسامي النانویة بطریقة التنمیش الكھروكیمیائي لرقائق السلیكون من النوع القابل مع كثافة تیارات ( 15 و 30 ملي امبیر/سم 2) لتكوین حفر بأحجام نانویة منظمة بحدود مئات قلیلة من الأبعاد النانومتریة وازمان تنمیش مختلفة وتم تشخیص الأغشیة من قیاسات حیودالأشعة السینیة ومطیافیة تحویلات فوریر للأشعة تحت الحمراء وخواص مجھر القوى الذري. من حیود الأشعة السینیة تم تخمین الحجم البلوري للسلیكون المسامي بالمقیاس النانو ومجھر القوى الذري یؤكد على ان الحجم بالنانومتر.كما تم تحدید المجامیع الفعالة الكیمیائیة خلال التنمیش الكھرو كیمیاوي تظھر على سطح المركب الكیمیائي للسلیكون المسامي. عملیة التنمیش الكھروكیمیائي التي تحوي على تراكیب غیر متجانسة في المشتتة في السلیكا (O-SiO, C-SiO) وعلى مجموعات (Si3-Si-H) السلیكون العشوائي مثل عناقیدالعشوائیة. من تحلیلات تحویلات فوریر للاشعة تحت الحمراء أظھرت أواصر السلیكون المتدلیة لطبقة Si-H السلیكون المسامي كما تم تم ترسیبھا حیث تحوي كمیة كبیرة من الھیدروجین على شكل أواصر الضعیفة. أظھرت اختبارات مجھر القوى الذري على سطح السیلیكون الخشن ، مع زیادة عملیة التنمیش(كثافة التیار وزمن التنمیش) نوى البنیة المسامیة الذي تؤدي إلى زیادة في عمق وعرض (القطر) من حفر السطح. وبالتالي فإن الزیادة بخشونة السطح أیضا تزداد.


Article
High-Quality Plasma- Induced Crystallization of Amorphous Silicon Structures

Author: A.M. Aldhafiri
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2009 Volume: 5 Issue: 1 Pages: 35-39
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

The investigation of polycrystalline silicon made on glass and carboncoated nickel substrates by aluminum-induced crystallization ofamorphous silicon (a-Si) is reported. Aluminum was sputtered onto a-Si films deposited in an ultra-high-vacuum plasma-enhanced chemicalvapor deposition (PECVD) system to form Al/a-Si substrate structures.These samples were then vacuum annealed for 30min. at temperaturesin the range 150-350°C. X-ray diffractometry (XRD) was utilized todetermine the crystallization temperature. Annealing at 275°C resultedin the formation of crystalline Si as observed by XRD. The presence ofthese hillocks or bumps after annealing at 275°C and above confirmsthat the a-Si has been crystallized.

Keywords

PECVD --- polycrystalline Si --- Amorphous Si --- XRD


Article
Fabrication of Tio2 and V2o5 Thin Films by Powder Coating Technique
تصنیع اغشیة رقیقة من اوكسید التیتانیوم و اوكسید الفنادیوم بتقنیة مساحیق الطلاء

Authors: Mohammed S. Hamza --- Alaa Aladdin --- Shatha Kazem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 16 Part (A) Engineering Pages: 3194-3202
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Titanium dioxide (TiO2) and vanadium oxide (V2O5) in different mixing percentage(100, 50, 0)% from them powders as thin film on substrate of glass .the coatingthickness was ( 0.37 ±0.03 μm ).Thin films were inspection by microphotographs with scanning electron microscopy(SEM) and x-ray diffraction (XRD).The results showed that thin films was prepared crystalline and also the compound(tio2, v2o5), and the structure was regular and smooth.

Keywords

TiO2 --- V2O5 --- THIN film --- SEM --- XRD


Article
Effect of annealed temperature on some structural, optical and mechanical properties of selenium thin film
تأثير درجة حرارة التلدين على بعض الخواص التركيبية, البصرية و الميكانيكية لأغشية السلينيوم الرقيقة

Author: Alaa A. Abdul-Hamead ألاء علاء الدين عبد الحميد
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2014 Volume: 12 Issue: 24 Pages: 52-59
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper a thin films of selenium was prepare on substrates of n-Si by evaporation in a vacuum technique with thickness about 0.5µm. And then an annealing process was done on samples at two temperature (100 and 200) C ° in a vacuum furnace (10-3 torr). Some structural, optical and mechanical properties of prepared thin films were measured. Results showed that the prepared film was the crystallization, optical transmittance and micro hardness of the prepared thin films increased significantly after annealing.

تم في هذا البحث تحضير أغشية رقيقة من السلينيوم على قواعد من السليكون نوع n- بتقنية التبخير في الفراغ وبسمك 0.5 µm, من ثم أجراء عملية التلدين الحراري على النماذج عند درجتين حرارة (100 و(200 C°في فرن بالفراغ (10-3 torr). تم قياس بعض الخواص التركيبية والبصرية والميكانيكية للغشاء الرقيق.أظهرت النتائج بأن الاغشيه المحضرة كانت متبلورة, و النفاذية البصرية و الصلادة للأغشية المحضرة ارتفعت بعد التبلور الذي تحسن بشكل ملحوظ بعد التلدين.

Keywords

selenium --- thin film --- transmittance --- annealing --- XRD.

Listing 1 - 10 of 119 << page
of 12
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (119)


Language

English (102)

Arabic and English (8)

Arabic (6)


Year
From To Submit

2019 (5)

2018 (19)

2017 (16)

2016 (25)

2015 (19)

More...