research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
THE INFLUENCE OF HEATING TREATMENT ON PHYSICALPROPERTIES OF POROUS SILICON

Authors: Narges Z.Abd alzahra --- Alwan M.Alwan
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2009 Volume: 12 Issue: 2 Pages: 76-81
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this work we studying the effect of thermal treatment on the electrical and conduction properties of metal /porous silica /n-si /metal prepared by photo electro chemical etching for etching time (15 min. Oxidation occur in oxidation time (15-150)sec at 750Ċ.After investigated current–voltage (J-V)measurement we found increase in rectification ratio ,barrier height increase with oxidation time, the rectification ration was 5 before oxidation will be 21 after 30 s oxidation time, barrier height value was (0.756eV) will be( 0.85eV) at oxidation time 30 s ,the ideality factor after oxidation was 15 will be 2.75 at 30 sec of oxidation time mean that the device approach from the ideality characteristics.

في هذا البحث تم دراسة تأثير المعالجة الحرارية السريعة على الخصائص الكهربائية وميكانيكية التوصيل للسليكون المسامي المحضر بطريقة تشعيع الليزر أثناء عملية القشط الكهروكيميائي بزمن ( 15 دقيقة ) عملية الأكسدة جرت بزمن ( 15-150 ثانية ) عند درجة حرارة (Ċ750) من خلال دراسة الخصائص الكهربائية أن نسبة التقويم و حاجز الجهد تزداد بزيادة زمن الأكسدة الحرارية الأكسدة الحرارية . قيمة حاجز الجهد كانت eV) 0.756 ( أصبحت eV) 0.85 (عند زمن أكسدة 30 ثانية,عامل المثالية وجد انه قبل عملية الأكسدة 15اصبحت قيمته 2.75 عند زمن الأكسدة 30 ثانية مما يعني اقتراب الجهاز من الخصائص المثالية.


Article
Physical Properties of MOS Porous Silicon Detector Fabricated under RTO Method
الخصائصا لفیزیائیة لكاشف السلیكون المسامي MOS المحضر بطریقة الأكسدة الحراریة السریعة

Authors: Narges Z. Abdulzahra --- Wafaa K. Khalaf --- Alwan M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 11 Pages: 2286-2291
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research we studying the sensitivity of a porous silicon photo detector, wefound it improved through rapid thermal oxidation processes. Under our optimumpreparation conditions, photocurrent can reach about 3408 μA (under power density 100mW/cm2 tungsten lamp illumination) and dark current is about 300μA(at reverse bias of 5V).

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2009 (2)