research centers


Search results: Found 21

Listing 1 - 10 of 21 << page
of 3
>>
Sort by

Article
Effect of annealing on superconducting properties of Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu2.2Zn0.8O10 thin films by pulsed laser deposition
تاثير التلدين على الخواص الفائقة التوصيل للاغشية الرقيقة Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu2.2Zn0.8O10 المرسبة بالليزر النبضي

Loading...
Loading...
Abstract

Superconducting thin films of Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu2.2Zn0.8O10 system were prepared by depositing the film onto silicon (111) substrate by pulsed laser deposition. Annealing treatment and superconducting properties were investigated by XRD and four probe resistivity measurement. The analysis reveals the evolution of the minor phase of the films 2212 phase to 2223 phase, when the film was annealed at 820 °C. Also the films have superconducting behavior with transition temperature ≥90K.

حضرت الاغشية الرقيقة للنظام Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu2.2Zn0.8O10 على ارضية سليكون (111) بطريقة الترسيب بالليزر النبضي . تم استقصاء المعاملة الحرارية والخواص الفائقة التوصيل باستخدام حيود الاشعة السينية وقياسات المقاومية.بينت تحليلات حيود الاشعة السينية حدوث ارتقاء للطور الى الطور العالي عند°C 820 .كما لوحظ ان الاغشية لها سلوك فائق التوصيل وبدرجة حرارة انتقالية≥90K


Article
Nanocrystalline B-Silicon Carbide Films Prepared by TEACO2 Laser
أغشية كاربيد السليكون بالطور بيتا نانوية البلورات المحضرة بليزر TEACO2

Author: Hamad R. Humud حمد رحيم حمود
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2011 Volume: 9 Issue: 15 Pages: 14-17
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of microcrystalline and nanocrystalline -silicon carbide and silicon, where deposited on glass substrate with substrate temperature ranging from 350-400C, with deposition rate 0.5nm per pulse, by laser induced chemical vapor deposition. The deposition induced by TEACO2 laser. The reactant gases (SiH4 and C2H4) photo decompose throughout collision associated multiple photon dissociate. Such inhomogeneous film structure containing crystalline silicon, silicon carbide and amorphous silicon carbide matrix, give rise to a new type of material nanocrystalline silicon carbide in which the optical transmittance is governed by amorphous SiC phase while nanocrystalline grain are responsible for the conduction processes. This new material is promised for many new applications, lick high efficiency solar cell.X-ray diffraction patterns and scanning microscope images revealed that nanocrystalline SiC and Si films grew at substrate temperature above 400C, while completely amorphous films grew at substrate temperature 350C.

استعملت طريقة الليزر الحاث على ترسيب البخار كيميائياَ في تحضير أغشية كاربيد السليكون بالطور  بلوراتها ذات أحجام نانوية ومايكروية على قواعد من الزجاج وبدرجات حرارة ترسيب 400-350 درجة مئوية وبمعدل ترسيب 0.5 نانومتر لكل نبضة. وقد أنجز ذلك بليزرTEACO2. الغازات المتفاعلة(SiH4 and C2H4) تفككت ضوئياَ عبر التفكك متعدد الفوتونات المعزز بالتصادم. الأغشية المحضرة كانت ذات بنية تركيبية متنوعة من بلورات السليكون وكاربيد السليكون المغمورة داخل ماتركس من كاربيد السليكون ذو تركيب عشوائي. هذا التنوع في البنية التركيبية للغشاء جعله مادة جديدة من أغشية كاربيد السليكون النانوية. فيها النفوذية البصرية محكومة بالخواص العشوائية للـ SiC والتوصيلية تحكمها الخواص البلورية النانوية للغشاء. أغشية بهذه الخواص تُعّد بتطبيقات جديدة ومتنوعة منها الخلايا الشمسية عالية الكفاءة. بينت نماذج حيود الأشعة السينية وصور المجهر الإلكتروني الماسح أن الأغشية المحضرة عند درجة حرارة 400 درجة مئوية ذات تركيب نانوي لكل من SiC و Si والأغشية التي حضرت بدرجة حرارة 350 ذات تركيب بنائي عشوائي.


Article
Some gas sensing properties of PbS thin films
بعض خصائص تحسس الغازات لأغشية PbS الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

In this research PbS thin film have been prepared by chemical bath deposition technique (CBD).The PbS film with thickness of (1-1.5)μm was thermally treated at temperature of 100°C for 4 hours. Some Structural characteristics was studied by using X-ray diffraction (XRD)and optical microscope photograph some of chemical gas sensing measurements were carried out ,it shown that the sensitivity of (CO2) gas depend on the grain Size and deposition substrate. The grain size of PbS film deposited on on glass closed to 21.4 nm while 37.97nm for Si substrate. The result of current-voltage characterization shwon the sensitivity of prepared film deposited on Si better than film on glass.

في هذا البحث حضرت أغشية PbS بتقنية الترسيب الكيمياوي عند سمك(1-1.5) m وعوملت الأغشية حرارياً عند درجة حرارة 100C لمدة أربعة ساعات. درست بعض الخصائص التركيبية بإستخدام جهاز X-ray والمجهر الضوئي،اما بالنسبة لفحوصات المتحسسات الغازية أثبتت أن التحسسية تعتمد على الحجم الحبيبي ونوع الأرضية المرسبة عليها الأغشية. الحجم الحبيبي للأغشية PbS المرسبة على الزجاج كانت مساوية لـ nm 21.4 بينما الأغشية المرسبة على السليكون تساوي 37.97 ، النتائج أظهرت أن خصائص التيار- فولتية والتحسسية للأغشية المرسبة على الـ Si أفضل مما عليه في الزجاج.


Article
Energy band diagram of In2O3/ Si heterojunction
مخطط حزمة الطاقة للمفرق الهجين In2O3 /Si

Author: Iftikhar M.Ali افتخار محمود علي
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2011 Volume: 8 Issue: 2عدد خاص بمؤتمر الفيزياء Pages: 581-587
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Crystalline In2O3 Thin films have been prepared by flash evaporation. We have studied the crystal structure of as deposited at 303K and annealed at 523K using X-ray diffraction. The Hall Effect measurements confirmed that electrons were predominant charges in the conduction process (i.e n-type).It is found that the absorption coefficient of the prepared films decreases with increasing Ta. The d.c conductivity study showed that the conductivity increase with increasing Ta , whereas the activation energy decreases with increasing Ta. Also we study the barrier tunneling diode for In2O3/Si heterostructure grown by Flash evaporation technique. (capacitance-voltage C-V) spectroscopy measurements were performed at 303 K and at the annealing temperature 523K. The built in voltage has been determined and it depends strongly on the annealing process of the heterojunction. From all above measurements we assumed an energy band diagram for In2O3 /Si(P-type) heterojunction.

تم تحضير أغشيةIn2O3 بطريقة التبخير الوميضي في الفراغ.ثم دراسةالتركيب البلوري للعينات كما تم ترسيبها (as-deposited) عند درجة حرارة 303K وتلك الملدنة عند درجة 523K . أظهرت فحوصات هول ان حاملات الشحنة السائدة هي الألكترونات وهذا يعني ان الأغشية كانت من النوع السالب. وجد ان معامل الامتصاص للاغشية المحضرة تقل بزيادة درجة حرارة التلدين من خلال دراسة التوصيليةالمستمرة وجد ان التوصيلية تزداد بزيادة درجة حرارة التلدين بينما طاقة التنشيط تقل بزيادة درجة حرارة التلدين . تم دراسة خواص (السعة-الفولتية)وخساب جهد البناء الداخلي لهذا المفرق حيث اظهرت النتائج ان جهد البناء الداخلي يعتمد بشكل كبير على المعالجةالحرارية للمفرق.ومن خلال جميع الحسابات المذكورة اعلاه تم افتراض موديل لمخطط طاقة التنشيط للمفرق الهجين المحضرIn2O3/p-Si.


Article
Annealing Effect on Some Optical Properties of Cr2O3 Thin Films Prepared by Spray Pyrolysis Technique
تأثير التلدين على بعض الخصائص البصرية لأغشية أوكسيد الكروم المحضرة بطريقة الرش الكيميائي الحراري

Authors: Saad Farhan Oboudi سعد فرحان العبودي --- Nadir Fadhil Habubi نادر فاضل حبوبي --- Sami Salman Chiad سامي سلمان جياد
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2011 Volume: 8 Issue: 2عدد خاص بمؤتمر الفيزياء Pages: 561-565
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Cr2O3 thin films have been prepared by spray pyrolysis on a glass substrate.Absorbance and transmittance spectra were recorded in the wavelength range (300-900) nm before and after annealing. The effects of annealing temperature on absorption coefficient, refractive index, extinction coefficient, real and imaginary parts of dielectric constant and optical conductivity were expected. It was found that all these parameters increase as the annealing temperature increased to 550°C.

تم تحضير أغشية رقيقة من أوكسيد الكروم Cr2O3 على قواعد من الزجاج باستخدام طريقة التحلل الكيميائي الحراري. سجل طيفي النفاذية والامتصاصية في مدى الأطوال الموجية (300-900 ) نانومتر قبل وبعد التلدين . درس تأثير التلدين على كل من معامل الامتصاص, معامل الانكسار, معامل الخمود, ثابت العزل بجزأيه الحقيقي والخيالي, والتوصيليه الضوئية. وقد تبين ان جميع هذه الثوابت البصرية للأغشية المحضرة تزداد بزيادة درجة حرارة التلدين الى 550°C.


Article
Annealing Effect on the Optical Properties of Sb2S3 Thin Films
تأثیر التلدین على الخصائص البصریة لأغشیة كبریتید الانتمون الرقیقة

Loading...
Loading...
Abstract

Sb2S3 thin films have been prepared using chemical bath deposition .these films were annealed fordifferent temperatures 373, 473 k. Absorbance and transmittance spectra were recorded in the wavelength range (300-900) nm. the nature of electronic transitions was determined, it was found that these films have direct allowed transitionwith an optical energy gap of 1.72, 1.76, 1.82 eV before and after annealing respectively. the extinction coefficient,refractive index, real and imaginary part of dielectric constant were also measured before and after annealing.

373 . سجل طیفي النفاذیة k, 473k حضرت أغشیة كبریتید الانتمون بطریقة الترسیب بالحمام الكیمیائي. لدنت هذه الأغشیة بدرجات ح ا ررة مختلفة300-900 . حددت طبیعة الانتقال الالكتروني والتي وجد بانها ذات انتقال مباشر مسموح وبفجوة nm والامتصاصیة قبل وبعد التلدین لمدى الاطوال الموجیة1.82 قبل وبعد التلدین على التعاقب. تم كذلك حساب قیم معامل الخمود، معامل الانكسار، ثابت العزل الحقیقي , 1.76, 1.72 eV طاقة بصري مقدارهاوالخیالي قبل وبعد التلدین.

Keywords

Sb2S3 --- Thin Films --- CBD --- Optical Properties


Article
Effect of thermal annealing and laser radiation on the optical properties
تأثير التلدين الحراري والتشعيع بالليزر على الخواص البصرية لأغشية AgAlS2 الرقيقة

Authors: Hamid S. AL-Jumaili حامد صالح الجميلي --- Ahmed Kh. AL-Rawi احمد خليل الراوي
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2011 Volume: 9 Issue: 16 Pages: 79-83
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Effect of the thermal annealing at 400oC for 2 hours and Argon laser radiation for half hour on the optical properties of AgAlS2 thin films, prepared on glass slides by chemical spray pyrolysis at 360oC with (0.18±0.05) µm thickness .The optical characteristics of the prepared thin films have been investigated by UV/Vis spectrophotometer in the wavelength range (300 – 1100)nm .The films have a direct allow electronic transition with optical energy (Eg) values decreased from (2.25) eV for untreated thin films to (2.10) eV for the annealed films and to (2.00) eV for the radiated films. The maximum value of the refractive index (n) for all thin films are given about (2.6). Also the extinction coefficient (K) and the real and imaginary dielectric constants (€1 & €2). The results indicate the films have good characteristics for optoelectronic applications.

في هذا البحث تم دراسة تأثير التلدين الحراري بدرجة حرارة( 400oC) لمدة ساعتين والتشعيع بليزر الاركون لمدة نصف ساعة على الخواص البصرية لأغشية AgAlS2 الرقيقة المحضرة على قواعد زجاجية بطريقة الرش الكيميائي الحراري بدرجة حرارة( 360oC ) وبسمك (0.18±0.05) µm. الخصائص البصرية لهذه الأغشية المحضرة قد درست بواسطة جهاز المطياف للطول الموجي (300 – 1100)nm. هذه الاغشية تمتلك انتقالات الكترونية مسموحة مع فجوة طاقة تتناقص من (2.25) eV للغشاء الأصلي ليصل إلى (2.10) eV للغشاء الملدن و(2.00) eV للغشاء المشعع. القيمة العظمى لمعامل الانكسار لكل الأغشية حوالي (2.6) , قيم معامل الخمود وثوابت العزل الكهربائي والخيالي تتشابه من حيث السلوك . هذه النتائج تبين أن الأغشية تمتلك خواص جيدة للتطبيقات الالكتروبصرية .


Article
The Effect of Chlorine Concentration on the Optical Constants of SnS Thin Films
تاثير تركيز الكلور على الثوابت البصرية لاغشية كبريتيد القصدير الرقيقة

Authors: Reem Saadi Khaleel ريم سعدي خليل --- Sami Salman Chiad نادر فاضل حبوبي --- Nadir Fadhil Habubi سامي سلمان جياد
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2011 Volume: 8 Issue: 2عدد خاص بمؤتمر الفيزياء Pages: 566-570
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Chlorine doped SnS have been prepared utilizing chemical spray pyrolysis.The effects of chlorine concentration on the optical constants were studied. It was seen that the transmittance decreased with doping, while reflectance, refractive index, extinction coefficient, real and imaginary parts of dielectric constant were increased as the doping percentage increased. The results show also that the skin depth decrease as the chlorine percentage increased which could be assure that it is transmittance related.

حضر كبريتيد القصدير المشوب بالكلور باستخدام التحلل الكيميائي الحراري.درس تاثير تركيز الكلور على الثوابت البصرية. لقد وجد بان النفاذية تقل بالتشويب، بينما الانعكاسية، معامل الانكسار، معامل الخمود، ثابت العزل بجزئيه الحقيقي والخيالي، كل هذه العوامل تزداد بازدياد نسبة التشويب. اثبتت النتائج ايضا بان عمق القشرة يقل بزيادة نسبة التشويب مما يؤكد بان لعمق القشرة علاقة بالنفاذية.


Article
Optical Characteristics of CdSSe Films Prepared by Thermal Evaporation Technique
الخصائص البصرية لاغشية CdSSe المحضرة بتقنية التبخير الحراري

Author: Zaidunn T. Mohammed Noori زيدون طارق محمد نوري
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2011 Volume: 8 Issue: 1 Pages: 155-160
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of cadmium sulphoselenide (CdSSe) have been prepared by a thermal evaporation method on glass substrate, and with pressure of 4x10-5 mbar. The optical constants such as (refractive index n, dielectric constant εi,r and Extinction coefficient κ) of the deposition films were obtained from the analysis of the experimental recorded transmittance spectral data. The optical band gap of (CdSSe) films is calculate from (αhυ)2 vs. photon energy curve. CdSSe films have a direct energy gap, and the values of the energy gap were found to increase when increasing annealing temperature. The band gap of the films varies from 1.68 – 2.39 eV.

رسبت الاغشية الرقيقة من كادميوم كبريت سلينيوم على ارضيات من الزجاج بطريقة التبخير الحراري, وكان الضغط المستخدم بحدودة mbar54*10- درست الثوابت البصرية مثل (معامل الانكسار (n) ,ثابت العزل الحقيقي والخيالي(εr,i ومعامل الخمود (k) للاغشية المرسبة من تحليل طيف الامتصاصية والنفاذية حسبت فجوة الطاقة البصرية لاغشيةٍ CdSSeمن منحني (αhυ) 2 مع طاقة الفوتون. تمتلك الاغشية كادميوم كبريت سلينيوم فجوة طاقة مباشرة ,وقيم فجوة الطاقة تزداد بزيادة درجة حرارة التلدين وكانت فجوة الطاقة لهذه الاغشية تتغير من) 1.68الى 2.39) الالكترون فولت


Article
Optical Investigations of CdSe1-x Tex Thin Films
الاستقصاء البصري لاغشيةCdSe1-xTex الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

The alloys of CdSe1-xTex compound have been prepared from their elements successfully with high purity (99.9999%) which mixed stoichiometry ratio (x=0.0, 0.25, 0.5, 0.75 and 1.0) of (Cd, Se and Te) elements. Films of CdSe1-xTex alloys for different values of composition with thickness(0.5m) have been prepared by thermal evaporation method at cleaned glass substrates which heated at (473K) under very low pressure (4×10-5mbar) at rate of deposition (3A˚/s), after that thin films have been heat treated under low pressure (10-2mbar) at (523K) for two hours.The optical studies revealed that the absorption coefficient (α) is fairly high. It is found that the electronic transitions in the fundamental absorption edge tend to be allowed direct transition. It was also found that the optical energy gap vary non-linearly with composition (x) and have a minimum value at x=0.5 and increases after heat treatment.It is found that the optical constants vary non-linearly with composition, and the behavior inverse at x=0.5, and affected by heat treatment. The behavior of 1 is similar to the behavior of n, while the behavior of 2 is similar to the behavior of k.

تم تحضير سبائك المركب CdSe1-xTex بنجاح من عناصرها الأولية بنقاوة عالية (%99.9999) بخلط نسب العناصر (x = 0.0, 0.25, 0.5, 0.75, 1.0) من (Cd, Se, Te)، واستخدم تحليل مطياف الامتصاص الذري لمعرفة تركيز العناصر في السبيكة. وكذلك أجريت فحوصات حيود الأشعة السينية ولوحظ أن السبائك تملك تركيباً متعدد البلورات. حضرت أغشية رقيقة من سبائك CdSe1-xTex لقيم مختلفة من التراكيز بسمك (0.5μm) بطريقة التبخير الحراري على قواعد نظيفة من الزجاج المسخن بدرجة حرارة 473K تحت ضغط واطئ جدا (4×10-5mbar) بمعدل تبخير (ِs 3 A) وبعد ذلك تمت معاملة الأغشية حراريا تحت ضغط واطئ (10-2mbar) بدرجة حرارة 523K لمدة ساعتين.من الدراسة البصرية تبين أن قيم معامل الامتصاص (α) عالية بعض الشيء، ووجد ان الانتقالات الإلكترونية عند حافة الامتصاص الأساسية كانت من نوع الانتقال المباشر المسموح، وان فجوة الطاقة البصرية تتغير بشكل غير خطي مع التركيز (x) وتملك أوطأ قيمة لها عند x=0.5، وكذلك وجد أن فجوة الطاقة البصرية تزداد قليلا بعد المعاملة الحرارية.استخدم طيف النفاذية في إيجاد الثوابت البصرية (n, k, ε1, ε2)التي تم حسابها بوساطة طريقة سوانبل (Swanepoel) باستخدام النفاذية العظمى TM والنفاذية الصغرى Tm في تقنية الغلاف.وتبين ان الثوابت البصرية جميعها تتغير بشكل غير خطي مع التركيز وان انقلاب السلوك يكون دائما عند x=0.5، وجد انها تبدي تأثرا بعد معاملة الأغشية حراريا. وكان تصرف الجزء الحقيقي لثابت العزل مشابها لتصرف معامل الانكسار، بينما الجزء الخيالي لثابت العزل كان مماثلا لتصرف معامل الخمود.

Listing 1 - 10 of 21 << page
of 3
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (21)


Language

English (19)

Arabic (2)


Year
From To Submit

2011 (21)