research centers


Search results: Found 9

Listing 1 - 9 of 9
Sort by

Article
Preparation and characterization ZnO nanoparticles and study of morphology at high temperature
تحضير و دراسة خواص المركب النانوي اوكسيد الزنك ودراسة خواصة السطحيه عند درجات حرارة عالية

Author: Mundher.A.Hassan منذر عبد الحسن خضير
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2012 Volume: 10 Issue: 18 Pages: 17-23
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In context of this paper we prepare high purity powder ZnO nanostructures by chemical method at low temperature solution and study the effect off annealing at high temperature, ZnO nanoparticles have been successfully synthesized by chemical method at 0Cᵒ solution. In this method, suddenly reaction is occurred between zinc acetate solution and sodium hydroxide solution at 0Cᵒ, annealing temperature of powder product surfactant plays an important role in morphological changes. The nanostructures have been characterized by X-ray diffraction (XRD), Scanning Electron Microscope (SEM), differential scanning calorimetry(DSC) and UV-visible .analysis Effect of annealing temperatures on the morphology , structure and optical properties is discussed.

في سياق هذا البحث تم تحضير حبيبات بإحجام النانومتر لمادة أكسيد الزنك الشبه الموصلة وبنقاوة عالية وتم استخدام الطريقة الكيميائية في التحضير عند درجات الحرارة المنخفضة (الصفر المئوي ) ويكون إضافة محلول خلات الزنك إلى محلول هيدروكسيد الصوديوم بشكل سريع وفجائي . وتم دراسة الخواص التركيبية لهذه المادة بعد ان تم تعريضها لدرجات الحرارة العالية ودراسة التغيرات التركيبية بواسطة طيف الحيود للأشعة السينية وكذلك باستخدام المكروسكوب الالكتروني ودرست نقاوة المسحوق المحضر باستخدام جهاز التحليل الحراري التفاضلي .وكذلك دراسةخواص الامتصاص البصري باستخدام جهاز امتصاص الأشعة فوق البنفسجية .


Article
Influence of dopant concentration on Dispersion Parameters of ZnO:Sn Thin Films
تأثير التشويب على معلمات التفريق لأغشية ZnO:Sn الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

Undoped and Sn doped ZnO films have been deposited by spray pyrolysis technique. The films were deposited onto glass substrate at a temperature of 450°C. The effect of tin incorporation on optical properties and dispersion parameters of ZnO films has been investigated. Optical absorption measurements were also studied by UV-VIS technique in the wavelength range 300-900 nm. The optical band gap of these films was determined. The absorption edge shifted to the lower energy depending on the dopant materials. The changes in dispersion parameters and Urbach tails were investigated as a function of Sn content. The optical energy gap decreased and the wide band tails increased in width from 442 to 546 meV as the doping concentration increased from 0wt.% to 4wt.%. The single-oscillator parametere were detennined.

تم دراسة اغشية اوكسيد الزنك النقية ZnO والمشوبه بالقصدير ZnO:Sn بواسطة تقنية التحلل الكيميائي الحراري، تم ترسيب الأغشية على قواعد من الزجاح بدرجة حراره 450°C. درست ايضا القياسات البصرية حيث سجل طيف الامتصاصية في مدى الأطوال الموجية (300-900) نانومتر لحساب الثوابت الضوئية. وقد تم التحقق من التغيرات في معلمات التفريق وطاقة اورباخ بزيادة نسبة التشويب بالقصدير Sn. انخفضت فجوة الطاقة الضوئية بينما ازداد نطاق عرض الذيول من 442 -546 ملي الكترون فولت بزيادة محتوى Sn من 0wt.% الى 4wt.% . كذلك تم حساب طاقة المتذبذب المفردة في معلمات التفريق قبل وبعد التشويب.


Article
Electrical and Photovoltaic Properties of Ag:ZnO/Si Heterojunction Device Prepared by Spray Pyrolysis Methode

Author: Marwa Abdul Muhsien Hassan
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2012 Volume: 15 Issue: 1 Pages: 73-79
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, ZnO/p-Si and Ag:ZnO/p-Si heterostracture has been constructed on (111) oriented p-type silicon substrate using spray pyrolysis method. ZnO films were prepared with different doping ratios. The electrical and photovoltaic properties of these films have been investigated in order to get the optimum preparation conditions. The built- in potential (Vbi) is calculated under different Ag doping ratios, while from I-V measurements, the ideality factor (n) is calculated.

في هذا البحث تم تحضير مفرق هجين من اوكسيد الزنك (ZnO/p-Si) واكسيد الزنك المشوب بالفضة (Ag:ZnO/p-Si) على قواعد من السليكون نوع p-type وعند نسب تشويب مختلفه باستخدام طريقة الرش الكيميائي. تم دراسة كلا من الخواص الكهربائيه والفولتائيه الضوئيه لهذه الافلام للوصول الى افضل الشروط المؤديه الى افضل النتائج.


Article
Study the Physical Properties Antimony Doped Zinc Oxide Thin Films Prepared by Chemical Vapor Deposition
دراسة الخصائص الفيزيائية لأغشية اوكسيد الخارصين المطعمة بالأنتيمون والمحضرة بطريقة الـترسيب البخاري الكيميائي

Authors: Basil H. Nasir باسل هاشم ناصر صالح --- Mekhaiel I. Manssor ميخائيل عيسى منصور
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2012 Volume: 23 Issue: 3A Pages: 163-179
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Undoped ZnO and Sb-doped ZnO (0.3-10 at. %) thin films have been prepared by APCVD technique on the glass substrate at (400Cº, 425Cº, 450Cº, 475Cº, 500Cº(. The structural, optical and electrical properties of these thin films were studied. The results of the structural tests showed that these Films of ZnO:Sb were successfully prepared by (APCVD) X-ray measurement revealed that thin film structure was Polycrystalline of Hexagonal Wurtzite type with preferential orientation along the (002), (100) direction, in addition peaks for some phases for Antimony oxides were appeared. AFM measurement revealed that thin film have Roughness Average (19.4 nm) & RMS (24.3 nm). The optical measurement Transmission (T') were increase with as the doping percentage increased and decrease with increased substrate temperature, were found (79-90%), the band gap energies of the ZnO:Sb thin film are nearly the same as the pure ZnO. the best Electrical conductivity is appear with ZnO thin and (10% Sb) concentration at substrate temperatures (400Cº). The Hall measurement revealed that Resistivity were (1.8 Ω.cm), mobility ((146-4749) cm2/V.sec) and carrier concentration (1015 cm-3). The doped and undoped ZnO films exhibited n-type conductivity.

تم تحضير أغشية رقيقة من الاكاسيد الموصلة الشفافة ZnO الذاتية والمطعمة بالأنتيمون بنسب تطعيم (1% - 10%) باستخدام تقنية الترسيب البخاري الكيميائي عند الضغط الجوي (APCVD) وفي درجات حرارية مختلفة للأرضيات (400Cº, 425Cº, 450Cº, 475Cº, 500Cº). واعتمد انجاز الدراسة في مراحلها البحثية على حيود الأشعة السينية XRD، ومجهر القوة الذرية AFM، الامتصاصية البصرية والنفاذية لطيف الأشعة فوق البنفسجية والضوء المرئي، التوصيلية الكهربائية وتأثير هول. ومن خلال قياسات الأشعة السينية تبين أن الأغشية المحضرة تمتلك تركيباً متعدد البلورات وكانت من النوع السداسي (Hexagonal Wurtzite Type) وكانت ذات اتجاه نمو مفضل (002)، (100) فضلا عن ظهور الذروات التي تمثل بعض أطوار اكاسيد الانتيمون، وبينت قياسات AFM ان الأغشية المحضرة تمتلك معدل خشونة (19.4 nm) وقيمة مربع الجذر التربيعي (24.3 nm). أما القياسات البصرية فكانت النفاذية ( T) تزداد بزيادة التطعيم وتقل بزيادة درجة حرارة الأرضيات وتتراوح بين (70-90%)، وكانت فجوة الطاقة البصرية لأغشية ZnO:Sb مقاربة لفجوة الطاقة لـ ZnO الذاتية. وبلغت أفضل توصيلية في أغشية ZnO ثم بنسبة تطعيم (10%) في درجة حرارة (400Cº) ومن خلال قياسات هول وجدنا أن قيم المقاومية الكهربائية كانت بحدود (1.8 Ω.cm) والتحركية تراوحت بين cm2/V.sec) (146-4749)) وتركيز الحاملات (1015 cm-3). وأن أغشية ZnO غير المطعمة والمطعمة بالأنتيمون هي من نوع (n).


Article
THE DETERMINATION OF THE OPTICAL CONSTANTS OF THE ANNEALED ZNO THIN FILM AND DOPED WITH CO BY USING ENVELOPE METHOD
تحديد الثوابت البصرية لأغشية ZnO المُلدنة والمطعمة بالكوبالت باستخدام طريقة الغشاء

Authors: MARWA TARIQ AHMED مروة طارق أحمد --- SABRI JASSIM MOHAMMED صبري جاسم محمد --- AYED NAJIM SALEH عايد نجم صالح
Journal: Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة ISSN: ISSN:PISSN: 19918941/EISSN: 27066703 Year: 2012 Volume: 6 Issue: 1 Pages: 121-129
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

ZnO thin films have been deposited onto glass substrate by the spray pyrolysis method. Spectrum of x-ray diffraction for films of ZnO prepared by concentration (0.3M) has been studied. Also the spectrum shows that the films are crystalline in the structure in the wurtzite phase and by orientation (100) at angle (2θ=32.52°). The optical constants of ZnO thin films (such as refractive index (n) and extinction coefficient (k) within the wave length (300-900)nm are also studied. From transmittance spectrum (in the ultraviolet- visible- near infrared) (UV-VIS-NIR) regions using envelope method. The energy band gap of the films was evaluated as 3.31eV and found that the thickness is 831nm. The band gap and optical constants decreases after thermal annealing in air, also the band gap of ZnO thin films doped with Co decreases

تم ترسيب أغشية ZnO الرقيقة على قواعد زجاجية باستخدام طريقة الرش الكيميائي الحراري. تم دراسة حيود الأشعة السينية لأغشية ZnO المحضرة بتركيز 0.3M وأوضحت بأن الغشاء هو متبلور في الطور السداسي وبالاتجاه (100) عند الزاوية (2Ɵ= 32.52°). تمت دراسة الثوابت البصرية مثل معامل الانكسار ومعامل الخمود من خلال طيف النفاذية للغشاء في مدى الأطوال الموجية (300-900)nm للمناطق (فوق البنفسجية- المرئية- تحت الحمراء القريبة) باستخدام طريقة الغشاء. وتم حساب فجوة الطاقة البصرية ولوحظ بأنها تساوي 3.31eV للسمك 831nm. كما وجد بأن التلدين الحراري في الهواء يقلل من قيم فجوة الطاقة والثوابت البصرية وكذلك تقل فجوة الطاقة لأغشية ZnO المطعمة بالكوبالت.


Article
Dielectric behavior and Ac conductivity measurements of bulk (TiO2, ZnO/Epoxy) composites
دراسة السلوك العازل الكهربائي والتوصيلية الكهربائية المتناوبة لتمراكبات (راتنج الايبوكسي ـ اوكسيد التيتانيوم) و(راتنج الايبوكسي ـ اوكسيد الزنك)

Authors: Abdullah A. Hussein --- Abdulwahab. A.Sultan --- Tahseen A. Saki
Journal: journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء ISSN: 18130410 Year: 2012 Volume: 10 Issue: 3 Pages: 348-356
Publisher: Kerbala University جامعة كربلاء

Loading...
Loading...
Abstract

Dielectric behavior and ac conductivity measurements on epoxy resin filled with (5, 10, 15, 20, 25 wt.%.) micro sized particles of TiO2 and ZnO have been studied.. The measurements were carried out in the frequency range (120Hz - 2MHz) and over a wide temperature 30 ◦C and 110◦C. Different dielectric behavior was observed depending on filler type, filler contact, frequency and temperature. Results show that dielectric permittivity (ε') and dielectric loss(ε") increases with the addition of epoxy resin, which has been attributed to interfacial polarization. The value of (ε') increased with increasing temperature, due to the greater freedom for movement of the dipole molecular chains within the epoxy at high temperature. The value of (ε') decreases with increasing frequency, which indicates that the major contribution to the polarization comes from orientation polarization. Interfacial relaxation is found to be strongly dependent on the presence of micro-filler particles. The Alternating Current (AC) conductivity increases as the temperature and frequency, because of the segmental mobility and electrical conduction.

تمت دراسة السلوك العازل الكهربائي والتوصيلية الكهربائية المتناوبة لراتنج الايبوكسي المضاف إليه حشوات اوكسيد التيتانيوم و اوكسيد الزنك بنسب وزنيه(5, 10, 15, 20, 25 wt.%.). أجريت القياسات العملية لسلوك العزل الكهربائي عند مدى الترددات (120Hz - 2MHz) ودرجة حرارة(30 – 110) oC . ان اختلاف السلوك العازل للمتراكبات المحضرة يعتمد على نوع ومحتوى الحشوة والتردد ودرجة الحرارة. أظهرت النتائج المختبرية بان سماحية العزل و فقد العازل تزداد بزيادة محتوى الحشوة والذي قد تعزى إلى ظهور الاستقطاب البيني، كذلك تزداد السماحية بزيادة درجة الحرارة نتيجة لزيادة حرية الحركة للسلاسل الجزيئية لثنائيات الأقطاب داخل الايبوكسي عند درجة حرارة عالية، وتقل السماحية بزيادة التردد بسبب الاستقطاب ألاتجاهي. كذلك تم الاستنتاج على إن الاسترخاء البيني يعتمد على الحجم ألدقائقي للحشوة. التوصيلية الكهربائية المتناوبة تزداد بزيادة درجة الحرارة والتردد بسبب حركة الشحنات الحرة و تيار التوصيل.


Article
Thickness Effect on the Structure and Electrical Properties of ZnO Thin Films
تأثير السمك على التركيب والخواص الكهربائية لأغشية ZnO الرقيقة

Author: Radhya Mahdy Shaker Al jarah رضية مهدي شاكر الجراح
Journal: Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء ISSN: 20775830 Year: 2012 Volume: 4 Issue: 2 English Pages: 57-61
Publisher: University of Kufa جامعة الكوفة

Loading...
Loading...
Abstract

The objective of this research is studing the effectes of the thickness on the structur ,the d.c. conductivity and the activation energies for ZnO films Thin films of ZnO were deposited by spray pyrolysis technique on glass substrates. The thickness of the films (t) was determined using the weighing-method. Crystal structure were investigated by means of a X-ray diffraction XRD, it was found that all films have three peaks located at 2θ ≈ 31.8o, 34.4o and 36.3o with hkl{(100), (002), and (101)} respectively and that the crystallinety increasing with increasing the thickness(t) .The d.c. conductivity for ZnO films has been studied as a function of T for different thicknesses (900, 1400 and 4000 nm) From all samples we noticed that the d.c. conductivity increases with increasing the temperature Also we can be seen the increasing of (σ) with the increasing of film thickness , we noticed the decreasing of activation energies with the increasing of the film thickness

يهدف البحث دراسة تا ثير السمك لاغشية ZnO الرقيقة على التركيب البلوري والتوصيلية المستمرة d.c. وبالتاليعلى طاقة التنشيط .حضرت اغشية ZnO الرقيقة بطريقة الرش الحراري على اساس من الزجاج , سمك الغشاء t تم ايجاده بالطريقةالوزنية . اما التركيب البلوري تم فحصه باستخدام حيود اشعة X- ووجدنا ان جميع الاغشية ذات تركيب متعدد التبلور -8 (وقيم معاملات ميلر المقابلة .. 83.3 و 8 , 8.. لها ثلاث قمم عند الزوايا ) 3 hkl{(100),(002),(101)} على التوالي,ووجدنا ان التبلور يزداد مع زيادة السمك . التوصيلية d.c لاغيشة ZnO درست كدالة لدرجة الحرارة T لمختلفالاسماك (900, 1400 and 4000 nm) ووجدنا ان التوصيلية d.c. تزداد مع ازدياد درجة الحرارة وكذلك لاحظنا انالتوصيلة تزداد ايضا مع ازدياد السمك للغشاء ونعلم ان طاقة التنشيط تقل مع ازدياد التوصيلة وهذا ما حصلنا عليه.


Article
Synthesize Nano ZnO-ZrO2 Composite by Combustion Method and Studying their Dielectric Properties
تحضير متراكب نانوي من اوكسيد الخارصين – الزركونيا بطريقة الانفجار ودراسة خواصها العزلية

Author: Fadhil A.Chyad
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 8 Pages: 1342-1350
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Combustion method had been used to prepare a composite material from dopingZnO by 10 mol% ZrO2 . XRD showed a good crystalline powder comparing withASTM cards. Dielectric properties such dielectric strength, dielectric constant,dielectric loss and tangent loss have been measured .All the dielectric propertieshave decreased as the frequency increasing .The particle size has great effect on the dielectric properties of the compositewhich decreased as the particle size increased .

أستخدمت طريقة الانفجار ، لتحضير مادة متراكبة بأضافة 10 مول % من اوكسيدالزركونيوم الى اوكسيد الزنك. اكدت حيود الاشعة السينية للنماذج المحضرة بأنها متبلورة طبقاًالى المواصفات الاصلية . تمت دراسة الخواص العزلية للمتراكب والتي تمثلت بجهد او متانةالانهيار ، ثابت العزل ، معامل فقدان العزل وظل زاوية الفقدان .جميع الخواص العزلية قلت عند زيادة التردد . كان للحجم الحبيبي تأثير واضح على جميعالخواص العزلية حيث تقل هذه الخواص مع زيادة الحجم الحبيبي للمادة المتراكبة .


Article
Study of some structural , optical, Electrical Properties of ZnO thin films deposited by chemical Spray Pyrolysis Method
دراسة بعض الخواص التركيبية والبصرية والكهربائية لاغشية ZnO المحضر بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

Author: م. بان خالد محمد
Journal: journal of the college of basic education مجلة كلية التربية الاساسية ISSN: 18157467(print) 27068536(online) Year: 2012 Volume: 18 Issue: 76 / ملحق Pages: 911-926
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research we prepared ZnO thin films by Spray pyrolysis method with thickness (300nm) on a glass substrates and study its optical and electric properties.The results of (X-Ray ) diffraction showed that the films have a polycrystalline structure، The Absorption and The transmission as a function of photon energy for ZnO films had been studied، The investigated of energy gap of the direct allowed transitions of ZnO film showed a value of (3.14 eV). The optical Absorption coefficients have been study as a function of Photon Energy. Seebeck measurements revealed that ZnO thin films are n-type.

تم في هذا البحث تحضير غشاء اوكسيد الزنك ZnO بطريقة التحلل الكيميائي الحراري وبسمك (300nm) على قاعدة من الزجاج حيث تم دراسة الخصائص البصرية والكهربائية .تبين من خلال نتائج حيود الاشعة السينية (X-Ray) ان الاغشية ذات تركيب متعدد البلورة وجرى دراسة علاقة كل من الامتصاصية و النفاذية كدالة لطاقة الفوتون لاغشية ZnOكما جرى حساب فجوة الطاقةالمسموحة للانتقال المباشر المسموح للاغشية وكانت (3.14eV)وتم دراسة معامل الامتصاص كدالة لطاقة الفوتون .اظهرت نتائج سبيك بان اغشية اوكسيد الزنك ZnO ذات توصيلية مانحة (( n-type .

Listing 1 - 9 of 9
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (9)


Language

English (6)

Arabic (3)


Year
From To Submit

2012 (9)