نتائج البحث : يوجد 1

قائمة 1 - 1 من 1
فرز

مقالة
MEASUREMENT OF DIFFUSION LENGTH IN P-N JUNCTIONSILICON SOLAR CELL

المؤلفون: Oday N. Slman --- Jehan E. Simon --- Rana O. Mahdi
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 السنة: 2008 المجلد: 11 الاصدار: 1 الصفحات: 59-63
الجامعة: Al-Nahrain University جامعة النهرين - جامعة النهرين

Loading...
Loading...
الخلاصة

In this work, p-n junction silicon solar cells were fabricated using Plasma-assisted deposition technique, The minority-carriers diffusion length in the base region of a silicon solar cell has been determined by measuring the short-circuit current as a function of the wavelength of incident light. The incident light intensity required to produce a given short-circuit current is a linear function of the reciprocal absorption coefficient for each wavelength. and the extrapolation of this relation to zero intensity yields the diffusion length. The accuracy of this method appears to be greatly accepted.

في هذا البحث ، جرى تصنيع خلية شمسية سيليكونية بنمط الوصلة الثنائية باستخدام منظومة الترسيب المعزز بالبلازما جرى تحديد طول الانتشار للحاملات الاقلية في منطقة القاعدة للخلية الشمسية المصنعة من خلال قياس تيار دائرة القصر كدالة للطول الموجي للضوء الساقط . كانت شدة الضوء الساقط اللازمة للحصول على قيمة معينة لتيار الدائرة القصيرة دالة خطية لمقلوب معامل الامتصاص لكل طول موجي ومن قيمة هذه الدالة عند الصفر يمكن الحصول على قيمة طول الانتشار . لوحظ ان هذه الطريقة في حساب طول الانتشار ذات دقة عالية .

الكلمات المفتاحية

قائمة 1 - 1 من 1
فرز
تضييق نطاق البحث

نوع المصادر

مقالة (1)


اللغة

English (1)


السنة
من الى Submit

2008 (1)