research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Effect of γ- Irradiation on the n- Porous Silicon Structures Prepared by Electrochemical Etching
تأثير تشعيع γ على تراكيب السليكون المسامي (n) المحضر بالقشط الكهروكيميائي

Author: Abdulkahlig A. Sulaiman عبد الخالق ايوب سليمان
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2018 Volume: 27 Issue: 3E Pages: 173-180
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Porous Silicon has been prepared by using electrochemical cell at room temperature with etching time (20 min), current (30 mA) and fixed electrolyte solution HF:C2H5OH(1:4). The samples are irradiated by γ-ray with various doses (50,100) Gy. Several techniques such as scanning electron microscope (SEM), X-ray diffraction (XRD) and Ramman Spectrum were used to study the influence of the γ- irradiation of porous silicon (PSi). SEM images show the random distribution of pores that cover all the surface which have different sizes and spherical shapes. XRD analysis, which indicated that n- type porous silicon and the samples irradiated at 50 and 100 Gy of γ- ray grow in hexagonal structure having preferred orientation along (002) plane in c-direction. An extremely symmetric band shape were recognized from Raman spectra of PSi

حضر السليكون المسامي باستخدام الخلية الكهروكيميائية عند درجة حرارة الغرفة بزمن قشط (20 min.)، تيار (30 A) ومحلول الكتروليتي ثابت HF:C2H5OH(1:4). العينات تم تشعيعها بأشعة γ بجرعات مختلفة (50,100 Gy). استخدمت عدة تقنيات مثل المجهر الالكتروني الماسح (SEM)، حيود الأشعة السينية (XRD) وطيف رامان لدراسة تأثير تشعيع γ على السليكون المسامي. تبين صور SEM التوزيع العشوائي للمسامات التي تغطي جميع السطح بأحجام وأشكال دائرية مختلفة. تحليلات XRD تشير إلى أن السليكون المسامي من النوع n والعينات المشععة بأشعة γ عند (50,100 Gy) تنمو بالتركيب السداسي والاتجاه المفضل له على طول المستوي (002) بالاتجاه c. تم التعرف على شكل حزمة التناظر للسليكون المسامي إلى حد كبير من طيف رامان

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2018 (1)