Diffusion of nickel in GaAs has been studied at 950ºC. The diffusion wasenhanced during limited interval and for different quantities of As. Nickel atomshad diffused in the beginning due to the interstitial movement of atoms but largenumber of nickel atoms occupies substantial locations in p-type GaAs lattice.Measurements performed to the samples have showed good agreement between thenickel atoms concentration and majority charge-carriers in p-type semiconductor(holes). Measurements explained that electrical conductivity of p-type samples wasnot due to system heating but to the diffusion of nickel atoms occupying sites ofgallium atoms.

في هذا البحث ، جرى دراسة أنماط انتشار النيكل في عينات من الكاليوم أرسنايد عند درجة 950 جرى تحسين الانتشار من خلال إضافة مقادير مختلفة من الأرسنايد، إن ºC. حرارة تلدين ذرات النيكل تنتشر في بادئ الأمر بسبب الحركة البينية لها غير أن عدداً كبيراً منها يحتل مواقع استبدالية في الكاليوم أرسنايد المانح .أجريت القياسات الكهربائية للعينات وقد أوضحت تطابقاً جيداً ما بين تراكيز النيكل وتركيز الفجوات التي تعتبر حاملات الشحن الأغلبية في شبه الموصل القابل .أوضحت القياسات أن التوصيلية الكهربائية للعينات القابلة لم تكن بسبب تسخين المنظومة وإنما بسبب انتشار ذرات النيكل التي تحتل مواقع ذرات الكاليوم

Ni/GaAs --- thermal annealing --- diffusion