research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
STUDING OF ELECTRIC PROPERTIES OF THIN FILMS FOR THE COMPOUND CU(IN1-XALX)S2 PREPARED BY CHEMICAL SPRAY PYROLYSIS
دراسة الخواص الكهربائية لاغشية المركب Cu(In1-xAlx)S2 الرقيقة المحضرة بطريقة الرش الكيميائي الحراري

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of Cu(In1-xAlx)S2 have been prepared using chemical spray pyrolysismethod as a function of the concentration [where (x=0,0.1,0.2,....,1)] with thickness (0.55±0.05 μm) atsubstrate temperature of 300 °c , through the study of X-ray diffraction we found the prepared thinfilms have polycrystalline and chalcopyrite structure with tetragonal arrangement, and preferredorientation along (112) direction, The absorptance spectra have been recorded for wavelength range(200_1100 nm) were used to calculate the absorption coefficient and optical energy gap , and theelectronic transition were found of the allowed direct type and value of energy gap for CuInS2 equal1.52 ev at x=0 and equal 3.20 ev for CuAlS2 at x=1 ,whereas the absorption coefficient values be (104-105 cm-1) in all prepared thin films,through the absorption coefficient and absorption edge wecalculated the value of the electrical conductivity that equal 6.893 and 3.273 (Ω.cm)-1 and value ofresistively for prepared films that equal 0.145 and 0.305 (Ω.cm) for CuInS2 and CuAlS2 respectively

حضرت الاغشية الرقيقة للمركب Cu(In1-xAlx)S2 بطريقة الرش الكيميائي الحراري كدالة الى التركيز ] حيث (x=0,0.1,0.2,….,1) [ وبسمك (0.55±0.05 μm) عند درجة حرارة القاعدة 300°c ، ومن خلال دراسة حيود الاشعة السينية وجدنا بان الاغشية المحضرة تمتلك تركيب الجالكوبارايت ومتعددة التبلور ذو الترتيب الرباعي والاتجاه المفضل على طول المستوي (112) ، سجل طيف الامتصاصية والنفاذية لمدى الاطوال الموجية (200-1100 nm) واستخدم لحساب معامل الامتصاص ،وفجوة الطاقة البصرية ، والانتقالات الالكترونية وجدت من النوع المباشر المسموح وقيمة فجوة الطاقة البصرية للمركب CuInS2 هي 1.52 ev عند x=0 وللمركب CuAlS2 تساوي 3.20 ev عند x=1 ، بينما قيم معامل الامتصاص كانت تساوي (104-105 cm-1) لجميع الاغشية المحضرة ، ومن خلال معامل الامتصاص وحافة الامتصاص تم حساب قيمة التوصيلية الكهربائية التي تساوي 6.893 و3.273 (Ω.cm)-1 والمقاومية للاغشية المحضرة تساوي 0.145 و 0.305 (Ω.cm) لكل من CuInS2 و CuAlS2 على الترتيب .

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

Arabic (1)


Year
From To Submit

2009 (1)