research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Nanocrystalline B-Silicon Carbide Films Prepared by TEACO2 Laser
أغشية كاربيد السليكون بالطور بيتا نانوية البلورات المحضرة بليزر TEACO2

Author: Hamad R. Humud حمد رحيم حمود
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2011 Volume: 9 Issue: 15 Pages: 14-17
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of microcrystalline and nanocrystalline -silicon carbide and silicon, where deposited on glass substrate with substrate temperature ranging from 350-400C, with deposition rate 0.5nm per pulse, by laser induced chemical vapor deposition. The deposition induced by TEACO2 laser. The reactant gases (SiH4 and C2H4) photo decompose throughout collision associated multiple photon dissociate. Such inhomogeneous film structure containing crystalline silicon, silicon carbide and amorphous silicon carbide matrix, give rise to a new type of material nanocrystalline silicon carbide in which the optical transmittance is governed by amorphous SiC phase while nanocrystalline grain are responsible for the conduction processes. This new material is promised for many new applications, lick high efficiency solar cell.X-ray diffraction patterns and scanning microscope images revealed that nanocrystalline SiC and Si films grew at substrate temperature above 400C, while completely amorphous films grew at substrate temperature 350C.

استعملت طريقة الليزر الحاث على ترسيب البخار كيميائياَ في تحضير أغشية كاربيد السليكون بالطور  بلوراتها ذات أحجام نانوية ومايكروية على قواعد من الزجاج وبدرجات حرارة ترسيب 400-350 درجة مئوية وبمعدل ترسيب 0.5 نانومتر لكل نبضة. وقد أنجز ذلك بليزرTEACO2. الغازات المتفاعلة(SiH4 and C2H4) تفككت ضوئياَ عبر التفكك متعدد الفوتونات المعزز بالتصادم. الأغشية المحضرة كانت ذات بنية تركيبية متنوعة من بلورات السليكون وكاربيد السليكون المغمورة داخل ماتركس من كاربيد السليكون ذو تركيب عشوائي. هذا التنوع في البنية التركيبية للغشاء جعله مادة جديدة من أغشية كاربيد السليكون النانوية. فيها النفوذية البصرية محكومة بالخواص العشوائية للـ SiC والتوصيلية تحكمها الخواص البلورية النانوية للغشاء. أغشية بهذه الخواص تُعّد بتطبيقات جديدة ومتنوعة منها الخلايا الشمسية عالية الكفاءة. بينت نماذج حيود الأشعة السينية وصور المجهر الإلكتروني الماسح أن الأغشية المحضرة عند درجة حرارة 400 درجة مئوية ذات تركيب نانوي لكل من SiC و Si والأغشية التي حضرت بدرجة حرارة 350 ذات تركيب بنائي عشوائي.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2011 (1)