research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Deposited Nanostructure Cds Thin Film by Using Pulse Laser Deposition Technique for Fabrication of Heterojunction Solar Cell
ترسيب اغشية كادميوم سلفايد الرقيقة النانوية باستخدام تقنية الليزر النبضي لتصنيع خلية شمسية هجينة

Author: Heba Salam Tareq
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 2 Part (B) Scientific Pages: 313-320
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present study, nanostructure Cadmium sulfide (CdS) thin films on Si P-type substrates heterojunction solar cell has been made by using a pulsed 532 nm Nd:YAG laser. Deposition of films is achieved at 200 °C substrate temperatures and oxygen pressure 10-1 Torr. X-ray diffraction (XRD), Scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscope (AFM) and UV-VIS transmittance analyses were employed to characterize thin films. XRD measurements approved that CdS film is a hexagonal Wurtzite structure. The morphology of deposited films were characterized by scanning electron microscope (SEM) and atomic force microscope (AFM), the grain size value (18) nm and rms roughness values are (12.6 nm) for thin films deposited at 200ºC. UV-VIS transmittance measurements have shown that our films are highly transparent in the visible wavelength region, with an average transmittance of ~90% . The direct optical band gap of the film has been found to be 2.2 eV.The photovoltaic characteristics included short circuit current (Jsc), open circuit voltage (Voc), where the maximum (Jsc) and (Voc)obtained at AM1 were 29.3 (mA cm-2) and 635(mV), respectively. The fill factor (FF) was (0.44). The fabricated cell exhibits good performance with 7.8 % conversion efficiency.

في هذا البحث , تم ترسيب اغشية رقيقة نانوية من الكادميوم سلفايد على قواعد من السليكون الاحادي البلورة من النوع القابل لتصنيع خلايا شمسية هجينة باستخدام ليزر النيودميوم-ياك النبضي ذو الطول الموجي 532 نانو متر.تم ترسيب الاغشية عند درجة حرارة قاعدة 200 درجة مئوي. اظهرت قياسات الاشعة السينية ان الاغشية المحضرة ذات طور الفرتزايت السداسي .حددت خصائص طبوغرافية السطح من خلال قياس المجهر الالكتروني الماسح و مجهر القوى الذرية , حيث بلغت قيمة الحجم الحبيبي18) ) نانو متر وقيمة خشونة السطح (12.6) نانومتر للأغشية المحضرة بدرجة حرارة قاعدة( 200) مئوي.اوضحت نتائج مطياف الاشعة المرئية والفوق البنفسجية امتلاك غشاء الكادميوم سلفايد نفاذية بلغت بحدود 90% و بلغت قيمة فجوة الطاقة المياشرة (2.2 الكترون.فولط) درست الخواص الفولطائية المتمثلة بتيار الدائرة القصيرة (Jsc) وفولتية الدائرة المفتوحة (Voc) بالاضافة لعامل الملئ (FF) ووجد ان اعظم قيمة لكل من (Jsc) و (Voc) لحالة AM1 هي 29.3 (mA cm-2) و 635(mV), على التوالي وان قيمة عامل الملئ هي (0.44) .الخلية المصنعة اظهرت قيمة كفاءة جيدة بلغت 7.8%.


Article
Study the Effect of Rapid Thermal Annealing on Thin Films Prepared By Pulse Laser Deposition Method
دراسة تاثير التلدين الحراري السريع على الاغشية الرقيقة المحضرة بطريقة الترسيب بالليزر النبضي

Author: Heba Salam Tareq
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 444-452
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, the synthesis of nanocrystalline Nickel oxide (NiO) thin films on quartz substrates using a pulsed 532 nm Q-Switched Nd: YAG laser is presented, the annealing temperature was varied from (200 - 400 ˚C). The X-ray diffraction (XRD) results show that the deposited films are crystalline in nature. Furthermore, a higher annealing temperature resulted in a thicker NiO film, which was attributed to an increased grain size. The morphology of deposited films were characterized by scanning electron microscope (SEM) and atomic force microscope (AFM);with increasing annealing temperature, the grain size increase .The grain size value (10,23 and 40 nm) for thin films annealing at 200 ,300 and 400˚C respectively., and with increasing annealing temperature, surface roughness decrease. RMS roughness values were (13.5, 7.8 and 5.5 nm) for thin films annealing at 200, 300 and 400˚C respectively. UV–Vis spectrophotometric measurement showed high transparency (nearly 92 % in the wavelength range 400–900 nm) of the NiO thin film with a direct allowed band gap value lying in the range 3.51–3.6 eV.

في بحثنا هذا , تم تحضير اغشية رقيقة نانوية لاوكسيد النيكل(NiO ) على قواعد من الكوارتز باستخدام ليزر نيدميوم ياك النبضي ذو الطول الموجي( nm 532) , تغيرت درجة حرارة التلدين من (200-400) درجة مئوي . اظهرت نتائج حيود الاشعة السينية ان الاغشية المحظرة ذات طبيعة بلورية , كما ادى زيادة درجة حرارة التلدين الى زيادة بالحجم الحبيبي لاغشية اوكسيد النيكل. تم دراسة طبوغرافية السطح باستخدام المجهر الالكتروني الماسح) SEM) ومجهر القوى الذرية (AFM) . بزيادة درجة حرارة التلدين ازداد الحجم الحبيبي.حيث تراوحت قيم الحجم الحبيبي لاغشية اوكسيد النيكل (10,23 و40) نانومتر عند درجات حرارة تلدين (200 ,300 و400 ) مئوي على التوالي.ايضا" ادت زيادة درجة حرارة التلدين الى نقصان بخشونة السطح للاغشية المحضرة. حيث تراوحت قيم الخشونة لاغشية اوكسيد النيكل (13.5 , 7.8 و 5.5) نانومتر عند درجات حرارة تلدين (200 ,300 و400 ) مئوي على التوالي. كذلك تم دراسة الخصائص البصرية بواسطة مطياف النفاذية للأشعة المرئية وفوق البنفسجية .حيث اظهرت النتائج نفاذية أعلى من 92 % عند مدى الطول الموجي (400-900) نانومتر لاغشية اوكسيد النيكل الرقيقة وتراوحت قيمة فجوة الطاقة للانتقال المباشر المسموح ( 3.51 - 3.6 ) الكترون فولت.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2014 (2)