research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Study the Effect of annealing temperature on the Structure ofa-Se and Electrical Properties of a-Se/c-Si Heterojunction
دراسة تأثير التلدين على الخواص التركيبية للسيلنيوم العشوائي والكهربائية للمفرق الهجيني a-Se/c-Si

Loading...
Loading...
Abstract

In this work Study effect of annealing temperature on the Structure of a-Se and electrical properties of a-Se/c-Si hetrojunction have been studied.The hetrojunction fabricated by deposition of a-Se film on c-Si using thermal evaporation.
Electrical properties of a-Se/ c-Si heterojunction include I-V characteristics, in dark at different annealing temperature and C-V characteristics are considered in the present work.
C-V characteristics suggested that the fabricated diode was abrupt type, built in potential determined by extrapolation from 1/C2-V curve. The built - in potential (Vbi) for the Se/ Si System was found to be increase from 1.21 to 1.62eV with increasing of annealing temperature

في هذا البحث تم دراسة تأثير التلدين على الخواص التركيبية للسيلنيوم والخواص الكهربائية للمفرق ألهجيني a-Se/c-Si الناتج من ترسيب السلنيوم بطريقة التبخير الحراري على السليكون.الخواص الكهربائية للمفرق الهجيني تتضمن خصائص التيار–فولتية في حالة الظلام وبدرجات تلدين مختلفة وخصائص سعة –فولتية .من خصائص سعة –فولتية تبين ان المفرق الهجيني هو من النوع الحاد وان جهد البناء تم حسابه من منحني الفولتية ومقلوب مربع السعة وتبين ان جهد البناء للمفرق الهجيني يزداد من 1,21 الى 1,62الكترون فولت بزيادة التلدين.

Keywords

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Year
From To Submit

2009 (1)