research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
SIMULATION OFMULTILAYER LAYER ANTIREFLECTION COATINGFOR VISIBLE AND NEAR IR REGION ON SILICON SUBSTRATE USINGMATLAB PROGRAM

Author: Khalid Z. Yahia
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2009 Volume: 12 Issue: 4 Pages: 97-103
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, double layer and three antireflection coating were designed and simulated , optical reflection values were deduced with a matrix formulation via a personal computer using matlab program, six materials has been selected to investigated of the reflection as function of wavelength in visible region and near IR between (400-1200 nm) on silicon substrate and central wavelength at (900) nm the result show double layer quarter-quarter wave optical thickness has good preference antireflection has been reduced reflection from (32%) for silicon surface to (3%) and for three layer coatings , the results obtained broadband antireflection spectra and several form antireflection that have zero reflection in double and three layer antireflection coating.

في هذا البحث تم دراسة طلاء مضاد للانعكاس مكون من طبقتين و ثلاثة طبقات باستحداث تصميم و نظام محاكاة، تم حساب القيم البصرية للانعكاس باستخدام نظم المصفوفات باستخدام الحاسب باستخدام برنامج الماتلاب ، تم استخدام ستة مواد بصرية لدراسة انعكاسيتها في المنطقة المرئية وتحت الحمراء القريبة بين (400-1200nm) على قاعدة من السليكون عند طول موجة تصميم ) (900nm النتائج التي تم الحصول عليها في طلاء طبقتين لسمك بصري ربع-ربع طول موجة تم الحصول على أفضل مضاد للانعكاس حيث قلت الانعكاسية من 32% ) (للزجاج الى (3%) أما في الطلاء ثلاث طبقات فقد تم تقليل الانعكاسية بمدى طيفي أوسع ، وتم الحصول على عدم انعكاس لكلا الطبقتين وثلاث طبقات في عدة اشكال .


Article
Study Optoelectronic Properties of Ag2O Heterojunction Prepered by Thermal Oxidation Technique

Author: Khalid Z. Yahia
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 5 Pages: 570-578
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Highly (101)-oriented p-Ag2O thin film with high electrical resistivilywas grown by thermal oxidation (TO) on clean monocrystalline p-type Siwithout any post- deposition annealing. From optical transmittance andabsorptance data, the direct optical band gap was found to be 1.4eV. Theelectrical and photovoltaic properties of Ag2O/Si isotope heterojunctionwere examined in the absence of any buffer layer. Ideality factor ofheterojunction was found to be 3.9. Photoresponse result revealed that thereare two peaks located at. 750 nm and 900nm .

تم ترسيب غشاء رقيق من اوكسيد الفضة باتجاهية ( 101 ) ومقاومة كهربائية عاليةعلى طبقة من السليكون احادية البلورة من النوع مانح بطريقة التأكسد الحراري بدونأي تلدين مسبق. من النتائج النفاذية البصرية والامتصاصية وجد ان فجوة الطاقة للانتقالالهجين Ag2O/Si 1.4 اما الخواص الكهربائية والفولتائية وجد ان المفرق eV المباشر كانتله عامل المثالية 3.9 اما نتائج الاستجابية الطيفية فوجد قمتان تقع عند الطو لين900nm,750nm الموجيين


Article
Study Optoelectronic Properties of Ag2O Heterojunction Prepered by Thermal Oxidation Technique
تحضير ودراسة الخواص الكهروبصرية للمفرق الهجين أوكسيد الفضة- سيلكون

Author: Khalid Z. Yahia
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 10 Pages: 1201-1209
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Highly (101)-oriented p-Ag2O thin film with high electrical resistivily was grown bythermal oxidation (TO) on clean monocrystalline p-type Si without any post- depositionannealing. From optical transmittance and absorptance data, the direct optical band gapwas found to be 1.4eV. The electrical and photovoltaic properties of Ag2O/Si isotopeheterojunction were examined in the absence of any buffer layer. Ideality factor ofheterojunction was found to be 3.9. Photoresponse result revealed that there are two peakslocated at. 750 nm and 900nm .

تم ترسيب غشاء رقيق من اوكسيد الفضة باتجاهية ( 101 ) ومقاومة كهربائية عالية علىطبقة من السليكون احادية البلورة من النوع مانح بطريقة التأكسد الحراري بدون أي تلدينمسبق. من النتائج النفاذية البصرية والامتصاصية وجد ان فجوة الطاقة للانتقال المباشر كانتالهجين له عامل المثالية 3,9 Ag2O/Si 1.4 اما الخواص الكهربائية والفولتائية وجد ان المفرق eV.900 nm750nm, اما نتائج الاستجابية الطيفية فوجد قمتان تقع عند الطولين الموجيين

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (3)


Year
From To Submit

2009 (1)

2008 (2)