نتائج البحث : يوجد 9

قائمة 1 - 9 من 9
فرز

مقالة
FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF HIGH EFFICIENTCd O/SI PHOTOVOLTAIC SOLAR CELLS

المؤلف: Khalid Z. Yahiya
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 السنة: 2008 المجلد: 11 الاصدار: 1 الصفحات: 56-58
الجامعة: Al-Nahrain University جامعة النهرين - جامعة النهرين

Loading...
Loading...
الخلاصة

In the present work, CdO/Si heterojunction solar cell has been made by vacuum evaporation of CdO thin film onto monocrystalline silicon substrate. XRD was investigated, the transmission was determined in range (400-1000)nm and the direct band gap energy is 2.5 eV, I-V characterization of the cell under illumination was investigated , the cell shows an open circuit voltage (VOC) of 0.4 V, a short circuit current density (JSC) of 40 mA/cm2, a fill factor (FF) of 0.34, and a conversion efficiency (η) of 5.5%.

في هذا البحث ، تم تصنيع خلايا شمسية هجينة نوع CdO/Si وذلك بتبخير أغشية CdO الرقيقة على قواعد سليكونية أحادية البلورة . تم دراسة البناء البلوري للغشاء بواسطة حيود الأشعة السينية وتم دراسة النفاذية للمدى (400-1000)nm تم حساب فجوة الطاقة المباشرة وتساوي (2.5)eV وتم دراسة القياسات تيار-جهد في حالة الإضاءة أبدت الخلية أداء فولطائي جيد حيث أن تيار دائرة القصر (40)mA/cm2 وان فولتية الدائرة المفتوحة (0.4)V وبكفاءة تحويل 5.5% وعامل ملئ 0.34 .

الكلمات المفتاحية

CdO/Si Heterojunction --- Solar Cell --- Conversion Efficiency.


مقالة
Fabrication and Study Se/Sb on Silicon Detector Heterojunction
تصنيع ودراسة كاشف سيلينيوم/انتيمون سليكون من نوع مفرق هجين

المؤلف: Khalid Z. Yahiya
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2008 المجلد: 26 الاصدار: 6 الصفحات: 620-628
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

The optical response characteristics of Se/Sb thin film heterojunction deposited ona p-type silicon substrate were studied. Results indicated that the obtained isotypeheterojunction is linearly graded and has 0.8V built-in potential. Also, the maximumspectral responsivity and maximum quantum efficiency were obtained at the region of (600-650) nm and the detectivity was about 7.77x1010 cm.Hz 1/2.W-1. Response time of themanufactured detector was about 225ns. This work is a good attempt to manufacture theheterojunction detector from V and VI elements.

في هذا البحث، جرى دراسة خصائص الاستجابية البصرية لكاشف المفرق الهجين المصنع من أغشيةسيلينيوم/انتمون الرقيقة المرسبة على قاعدة من السيليكون القابل .أظهرت النتائج المستحصلة أن المفرق الهجين0.8 ) تم الحصول على أقصى استجابية طيفية V) المتماثل هو من النوع المتدرج خطيًا ويمتلك جهد بناء داخلي7.77 ) جرى *1010cm.Hz1/2.W- 600-650 ) وبلغت القيمة الكشفية ( 1 ) nm وكفاءة كمية في منطقة الأطوال225 يعد هذا العمل محاولة جيد ة لتصنيع كاشف ns قياس زمن الاستجابة للكاشف المصنع وكان بحدودالمفرق الهجين من عناصر المجموعتين الخامسة والسادسة من الجدول الدوري.

الكلمات المفتاحية

Isotype heterojunction --- Si-based devices --- Sbx-1Sex devices --- Optical response


مقالة
High-Speed Response Si PIN Photodetector Fabricated and Studied for Visible and Near Infrared Spectral Detection
تصنيع ودراسة كاشف سليكوني من نوع PIN ذو سرعة استجابية عالية للمنطقة المرئية وتحت الحمراء القريبة من الطيف

المؤلف: Khalid Z. Yahiya
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2008 المجلد: 26 الاصدار: 10 الصفحات: 1164-1170
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

In the present work , PIN photodetector has been fabricated by vacuum evaporationtechnique, Al was evaporated on top side of an intrinsic – type silicon and In was evaporatedon down side and doped for each sides of an intrinsic silicon with thermal diffusion techniqueusing a furnace system, in this method PIN photodetector is made.The optoelectronic and electrical properties of photodetector were studied ,PIN hasspectral responsivity in visible and near infrared region and has peak responsivity atwavelength 900nm ,I-V characteristic under dark condition the ideality factor is 3.2 and builtin-potential was determined by extrapolation of the curve (1/C3) to a point 1/C3=0 equal 0.8v.a high speed response for the photodetector was determined , it is equal less than 2.35nS.

بطريقة التبخير تم تبخير معدن الألمنيوم على PIN في هذا البحث ، تم تحضير كاشف من نوعالسطح الأعلى للسليكون النقي وأيضا تم تبخير معدن الانديوم على السطح الأسفل للسليكون ثم جرى أشابة. PIN السليكون بطريقة الانتشار الحراري بالفرن وبهذه الطريقة تم تصنيع كاشف من نوعتم دراسة الخواص الكهوبصرية والكهربائية ووجد ان الكاشف له استجابية طيفية للمنطقة المرئية900 ومن خصائص تيار -جهد وتحت nm وتحت الحمراء القريبة وله قمة استجابية عند الطول الموجيظرف الظلام وجد ان للكاشف عامل مثالية يساوي 3.2 ومن خصائص سعة-جهد وجد ان المفرق من النوع1 وجد ان قيمة تساوي /C3= 1 عند النقطة 0 /C المتدرج وتم حساب جهد البناء الداخلي من رسم المنحني 3. 2.35ns 0.8 ووجد ان للكاشف سرعة استجابية عالية حيث وجد ان قيمتها اقل من

الكلمات المفتاحية

photodetector --- vacuum evaporation --- thermal diffusion


مقالة
Study on Temperature and Etching Effects on Silicon Oxide Formation Using Laser Ellipsometric Method
دراسة تأثير درجة الحرارة والتنميش في تكوين أوكسيد السيليكون بأستخدام طريقة تدوير مستوى استقطاب الليزر

المؤلفون: Khalid Z. Yahiya --- Ammar M. Al-Baldawi --- Ammar H. Jraiz
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2007 المجلد: 25 الاصدار: 6 الصفحات: 797-807
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

In this paper, a laser ellipsometric method is implemented to study theformation of oxide films on silicon substrate at room temperature in air. Twolasers, He-Ne and semiconductor diode, as well as a tungsten halogen lamp,were used as a light source in this method to show the importance ofcoherency for accurate results. The thickness of oxide layer was measured andthe results is compared with that calculated for a monolayer of oxide.Behavior of thermally formed oxides was studied using ellipsometry todetermine polarizer angle as a function of etching time.

في هذا البحث استخدمت طريقة تدوير مستوى استقطاب شعاع الليزر لدراسة تكوين أغشيةالاوكسيد على قاعدة سيليكونية في الهواء عند درجة حرارة الغرفة اس تخدم نوعان منالليزرات الأول ليزر الهليوم–نيون والثاني ليزر أشباه الموصلات كما استخدم مصباح التنكستنكمصادر ضوئية في هذه الطريقة لبيان أهمية التشاكه على دقة النتائج.جرت قياس سمك طبقة الاوكسيد ومقارنتها بالنتائج المحسوبة لطبقة أحادية من الاوكسيد .جرى در اسة سلوك الاكاسيد المتكونة حراريا باستخدام تقنية تدوير مستوى الاستقطاب لتحديدزاوية الاستقطاب كدالة لزمن التنميش.

الكلمات المفتاحية

Native Oxides --- Ellipsometry --- Silicon Devices --- Laser Polarization


مقالة
Optical Constants of Zinc Telluride Thin Films in the Visible and Near-Infrared Regions

المؤلفون: Khalid Z. Yahiya --- Evan T. Salem --- Muhammad S. Muhammad
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2008 المجلد: 26 الاصدار: 5 الصفحات: 512-519
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

In this study, thin films of ZnTe were deposited on glass substrates usingvacuum evaporation technique. The optical measurements on the deposited filmswere performed to determine the transmission spectrum and the absorption spectraas a function of incident wavelength. As well, optical parameters, such asextinction coefficient, value and type of energy gap, type of the dominantabsorption processes, real and complex refractive index as functions of incidentphoton energy, were determined. This study may present better understanding forthe optical properties of ZnTe thin films and their devices in order to enhance theircharacteristics and improve their efficiencies.

على قواعد (ZnTe) في هذا البحث، جرى ترسيب أغشية رقيقة من تيلورايد الخارصينزجاجية باستخدام تقنية التبخير الحراري في الفراغ. أجريت القياسات البصرية على الأغشيةالمرسبة لتحديد طيف النفاذية والامتصاصية كدالة للطول الموجي الساقط ومن ثم تحديدالمعاملات البصرية مثل معامل الامتصاص ومعامل التخميد وقيمة ونوع فجوة الطاقة وعملياتالامتصاص وقيمة معامل الانكسار المركب. هذه الدراسة يمكن أن تقدم فهمًا أفضل للخواصالبصرية لأغشية تيلورايد الخارصين الرقيقة ونبائطها من أجل تحسين خصائصها وزيادة حدودالكفاءة لها.

الكلمات المفتاحية

ZnTe devices --- Thin films --- Optical constants --- Optical dispersion energy


مقالة
Preparation and the study optical and electrical properties of thin films for optoelectronic applications

المؤلفون: Khalid Z. Yahiya --- Ammar H. Jraiz --- Uday M. Nayef
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2008 المجلد: 26 الاصدار: 7 الصفحات: 824-828
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

Conductive transparent In2O3 thin films with (222) preferred orientation wereprepared by thermal oxidation (TO) in static air of indium thin films at condition(250°C/25 min). Detailed structural, electrical, and optical characteristics of thefilm are presented. The data are interpreted to give a direct band gap of(3.6) eV and indirect band gap of (2.5) eV. The In2O3 film has sheet resistance aslow as (20)Ω/□ . in absence of any post-deposition annealing conditions. Themobility of these films was estimated to be (31) cm2. V-1. s-1.

بطريقة الأكسدة الحرارية In2O تم تحضير غشاء رقيق موصل كهربائيا شفاف من 3250° ) تم دراسة خواص البناء الداخلي C/25min) في الهواء لغشاء الانديوم تحت حالة3.6 ) في )eV. والكهربائية والبصرية للغشاء ووجد أن فجوة الطاقة للانتقال المباشر كانت20Ω/□ 2.5 ) ومقاومة سطحية واطئة )eV حين كانت فجوة الطاقة للانتقال غير المباشر.(31) cm2.V-1s- بدون أي تلدين مسبق . أما حركية نواقل الشحنة لهذا الغشاء فكانت

الكلمات المفتاحية

thermal oxidation --- In2O3 thin film --- figure of merit.


مقالة
Properties of Inclined Silicon Carbide Thin Films Deposited By Vacuum Thermal Evaporation
خواص أغشية كاربيد السليكون الرقيقة المرسبة بشكل مائل باستخدام التبخير الحراري في الفراغ

المؤلفون: Khalid Z. Yahiya --- Ammar H. Jraiz --- Najem Abdu Al-Kazem
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2008 المجلد: 26 الاصدار: 8 الصفحات: 938-943
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

In this work, thermal evaporation system was employed to deposit thin films of SiC onglass substrates in order to determine the parameters of them. Measurements includedtransmission, absorption, Seebak effect, resistivity and conductivity, absorption coefficient,type of energy band-gap, extinction coefficient as functions of photon energy and the effectof increasing film thickness on transmittance. Results explained that SiC thin film is an ntypesemiconductor of indirect energy and-gap of ~3eV,cut-off wavelength of 448 nm,absorption coefficient of 3.4395x104cm-1 and extinction coefficient of 0.154. Theexperimental measured values are in good agreement with the typical values of SiC thinfilms prepared by other advanced deposition techniques.

هذا البحث ، استخدمت منظومة التبخير الحراري لترسيب أغشية رقيقة من كاربيد السليكون علىقواعد زجاجية من اجل تحديد معاملات هذه الأغشية . تضمنت القياسات التي تم أجراؤه ا قياس طيفالنفاذية والامتصاص وتأثير سيباك والمقاومية والتوصيلة ومعامل الامتصاص ونوع فجوة الطاقة ومعاملالتخميد كدالة لطاقة الفوتون الساقط وكذلك تأثير زيادة سمك الغشاء على نفاذية العينات . أظهرت النتائجالتي تم الحصول عليها أن أغشية كاربيد السليكون الرقيقة هي مادة من النوع المانح ذات فجوة طاقة غير(3.439x104 cm- 448 ) ومعامل الامتصاص nm) 3) وكانت قيم الطول الموجي القاطع eV) مباشرة مقداره1 ومعامل التخميد ( 0.154 ) . تبدو القيم المستحصلة عمليا متفقة بشكل جيد مع القيم النموذجية لأغشية )كاربيد السليكون الرقيقة المحضرة باستخدام تقنيات متقدمة للترسيب .

الكلمات المفتاحية

Silicon Carbide --- Vacuum Thermal evaporation --- thin film semiconductors


مقالة
In-nSiC schottky photodiode ; Fabrication and Study
تصنيع ودراسة كاشق شوتكي In-nSiC

المؤلفون: Khalid Z. Yahiya --- Ammar H. Jraiz --- Abdulla Khudiar Abass
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2008 المجلد: 26 الاصدار: 9 الصفحات: 1110-1115
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

In the present work , schottky photodiode have been mode on n-type SiCby depositing of thin layer of In . electrical characteristics included I-V(dark and illumination ) have been investigated . Ideality factor is 1.6 andbarrier height is 0.53 eV was calculated from I-V and Isc-Voccharacteristics, Ideality factor is 1.7 and barrier height found to be 0.64 eV,and from optoelectronic characteristics have found sensitivity results showthat peak response of photodiode was 550nm .

ف ي ھ ذا البح ث ج رى ترس یب مع دن الان دیوم عل ى طبق ة م ن كاربی د الس لیكون بع دھ ا ت م دراس ة0.53 eV الخصائص تیار-جھد في حالة الظلام والإضاءة تم حساب ارتفاع حاجز الجھد ویس اويوتیار Voc وعامل المثالیة 1.6 من خصائص تیار جھد في حالة الظلام ومن فولتیة الدائرة المفتوحة0.63 وعامل المثالیة ١٫٧ ومن دراسة eV تم حساب ارتفاع حاجز الجھد ویساوي Isc دائرة القصر. 550nm الخصائص الكھروبصریة وجد ان للكاشف قمة استجابیة عند الطول الموجي

الكلمات المفتاحية

photodiode --- SiC --- Schottky contact


مقالة
Fabrication and Characteristics Study Of CdO/Si Heterojunction
تصنيع ودراسة خواص المفرق الهجين CdO/Si

المؤلفون: Khalid Z. Yahiya --- Ammar H. Jareeze --- Ammar M. Al-Baldawi
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2008 المجلد: 26 الاصدار: 12 الصفحات: 1484-1491
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

In the present paper CdO/Si heterojunction has been prepared by spray pyrolysismethod , electrical characteristics include I-V , C-V , were studied the build-inpotentialequal 1.7 eV and optoelectronic characteristics include I-V illuminationcondition, photovoltaic, responsivity , quantum efficiency were studied . theideality factor to be 2.93 and short circuit photocurrent 170μA, open circuitphotovoltge 120mV at AM1 condition and two peaks responsivity were found ,first peak at region 600±20nm this peak due to absorb of light in CdO throughband-to-band absorption while second region at 800±30nm which due to the Sibandgap.

بطريقة الرش الكيميائي الحراري تم دراسة CdO/Si في هذا البحث تم تحضير المفرق الهجين1.7 وتم دراسة eV الخواص الكهربائية المتضمنة تيار-جهد، سعة-جهد ووجد جهد البناء الداخلي يساويالخواص الكهروبصرية المتضمنة تيار-جهد في حالة إضاءة والخواص الفولتائية والاستجابية الطيفية170 وفولتية الدائرة μA والكفاءة الكمية وقد وجد ان عامل المثالية يساوي 2.93 وتيار دائرة القصر600±20 بسبب امتصاص nm ووجد قمتي استجابية الأولى عند AM 120 عند حالة 1 mV المفتوحة800±30 بسبب فجوة طاقة السليكون . nm حزمة الى حزمة في الغشاء والثانية

قائمة 1 - 9 من 9
فرز
تضييق نطاق البحث

نوع المصادر

مقالة (9)


اللغة

English (9)


السنة
من الى Submit

2008 (8)

2007 (1)